1200 V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

1009

600

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1200

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ T =150oc

4032

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

600

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1200

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25oc

2.15

2.60

v

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=125oc

2.65

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=24.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

4.5

5.5

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

40.8

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

2.64

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

6.35

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG=3.3Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

673

NS

tR

Aufstiegszeit

207

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

995

NS

tf

Herbstzeit

154

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

23.1

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

88.5

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A,- Ich weiß.RG=3.3Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

678

NS

tR

Aufstiegszeit

211

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1047

NS

tf

Herbstzeit

164

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

29.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

95.4

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=125oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

3600

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt=2750A/μs,VGE=±15V, tj=25oc

55.7

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

288

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

26.4

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 600A,

-di/dt=2750A/μs,VGE=±15V, tj= 125oc

98.5

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

375

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

48.5

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.18

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.031

0.070

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.051

0.114

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

6.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G