IGBT-Modul, 1200 V 600 A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
IchCN |
Implementierter Sammler Current |
600 |
a) |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tf= 85oc |
450 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
1200 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsauslagerung- die @tf= 75oc tj=175oc |
970 |
w |
Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholungspegel umgekehrter SpannungGE |
1200 |
v |
|
Ich- Die |
Implementierter Sammler Current |
600 |
a) |
|
Ichf |
Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent |
450 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
1200 |
a) |
Modul
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
|
t- Was ist los? |
Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10er innerhalb eines Zeitraums30er Jahre, Vorfallmaximal 3000 Mal über die LebensdauerIch bin es. |
-40 bis +150- Ich weiß. +150 bis +175 |
oc |
|
tstg |
Lagertemperaturbereich |
-40 bis +125 |
oc |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
2500 |
v |
|
dSchrei |
Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal |
9.0 9.0 |
mm |
|
dKlar |
Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal |
4.5 4.5 |
mm |
- Ich weiß.
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
IchCN |
Implementierter Sammler Current |
600 |
a) |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tf= 85oc |
450 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
1200 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsauslagerung- die @tf= 75oc tj=175oc |
970 |
w |
Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholungspegel umgekehrter SpannungGE |
1200 |
v |
|
Ich- Die |
Implementierter Sammler Current |
600 |
a) |
|
Ichf |
Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent |
450 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
1200 |
a) |
Modul
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
|
t- Was ist los? |
Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10er innerhalb eines Zeitraums30er Jahre, Vorfallmaximal 3000 Mal über die LebensdauerIch bin es. |
-40 bis +150- Ich weiß. +150 bis +175 |
oc |
|
tstg |
Lagertemperaturbereich |
-40 bis +125 |
oc |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
2500 |
v |
|
dSchrei |
Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal |
9.0 9.0 |
mm |
|
dKlar |
Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal |
4.5 4.5 |
mm |
- Ich weiß. Eigenschaften tf=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25oc |
|
1.40 |
|
v |
|
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=150oc |
|
1.65 |
|
|||
|
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=175oc |
|
1.70 |
|
|||
|
Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25oc |
|
1.60 |
|
|||
|
Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=150oc |
|
1.90 |
|
|||
|
Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=175oc |
|
2.00 |
|
|||
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc= 15,6- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc |
|
6.4 |
|
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.ausStrom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.67 |
|
Oh |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=100kHz, vGE=0V |
|
81.2 |
|
NF |
|
c- Die |
Ausgangskapazität |
|
1.56 |
|
NF |
|
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.53 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
vc =600V,Ic =600A, VGE=-8...+15V |
|
5.34 |
|
μC |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A, RGon=1,0Ω,RGoff= 2,2Ω, Ich...s=22nH, vGE=-8V/+15V, tj=25oc |
|
290 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
81 |
|
NS |
|
|
td ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
895 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
87 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
53.5 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
47.5 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A, RGon=1,0Ω,RGoff= 2,2Ω, Ich...s=22nH, vGE=-8V/+15V, tj=150oc |
|
322 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
103 |
|
NS |
|
|
td ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
1017 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
171 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
84.2 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
63.7 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 600A, RGon=1,0Ω,RGoff= 2,2Ω, Ich...s=22nH, vGE=-8V/+15V, tj=175oc |
|
334 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
104 |
|
NS |
|
|
td ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
1048 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
187 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
89.8 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
65.4 |
|
m |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤6μs,vGE=15V, tj=175oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V |
|
2000 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tf=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.80 |
|
v |
|
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.75 |
|
|||
|
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 175oc |
|
1.70 |
|
|||
|
Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.95 |
|
|||
|
Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.95 |
|
|||
|
Ichf= 600 A, VGE=0V,Tj= 175oc |
|
1.90 |
|
|||
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=600V,If= 600A, -di/dt=7040A/μs,VGE= 8V Ich...s= 22- Nein.- Ich weiß.tj=25oc |
|
22.5 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
304 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
10.8 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=600V,If= 600A, -di/dt=5790A/μs,VGE= 8V Ich...s= 22- Nein.- Ich weiß.tj=150oc |
|
46.6 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
336 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
18.2 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=600V,If= 600A, -di/dt=5520A/μs,VGE= 8V Ich...s= 22- Nein.- Ich weiß.tj=175oc |
|
49.8 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
346 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
19.8 |
|
m |
NTC Eigenschaften tf=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
R25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
|
∆R/R |
Abweichung von R100 |
tc=100 oc,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
|
p25 |
Leistung Ablösung |
|
|
|
20.0 |
m |
|
b25/50 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
|
b25/80 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
|
b25/100 |
B-Wert |
R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
Modul Eigenschaften tf=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
8 |
|
- Nein. |
|
RCC’+EE’ |
ModulleiterwiderstandTerminal an Chip |
|
0.75 |
|
mΩ |
|
△p |
△V/△t=10,0dm3- Ich weiß.Min- Ich weiß.tf= 75oc |
|
64 |
|
Mbar |
|
p |
Maximaler KühldruckSchönheit |
|
|
2.5 |
Bar |
|
RDie |
Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Kühlung Flüssigkeit(proIGBT)Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro D)(in der Regel △V/△t=10,0dm3- Ich weiß.Min- Ich weiß.tf= 75oc |
|
|
0.103 0.140 |
K/W |
|
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4 |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
n.m. |
|
G |
Gewicht von Modul |
|
750 |
|
G |
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