IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Sammler Aktuell @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

1069

600

Ein

I CM

Pulsierend Sammler Aktuell t P =1 ms

1200

Ein

P D

Maximum Leistung Abgabe @ t j =175 O C

4166

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Höchsttemperatur der Kreuzung Natur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 Um +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 Um +125

O C

v ISO

Isolation Spannung RMS , f=50 HZ , t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE (sitz )

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 600A, v GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

v

I C = 600A, v GE =15V, t j =125 O C

2.25

I C = 600A, v GE =15V, t j =150 O C

2.35

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12.0mA ,v CE = v GE ,t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

I CES

Abschnittswert für den Sammler

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V,

t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.1

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V, f=1 MHz ,

v GE =0V

72.3

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.75

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

5.66

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V, I C = 600A, r g = 1.0Ω, v GE =±15V, t j =25 O C

160

NS

t r

Aufstiegszeit

67

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

527

NS

t F

Herbstzeit

138

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

154

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

132

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V, I C = 600A, r g = 1.0Ω, v GE =±15V, t j = 125O C

168

NS

t r

Aufstiegszeit

80

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

585

NS

t F

Herbstzeit

168

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

236

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

189

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V, I C = 600A, r g = 1.0Ω, v GE =±15V, t j = 150O C

192

NS

t r

Aufstiegszeit

80

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

624

NS

t F

Herbstzeit

198

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

259

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

195

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, v GE =15V,

t j =150 O C ,v CC = 1000V, v CEM ≤1700V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 600A, v GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

v

I F = 600A, v GE =0V, t j = 125O C

1.90

I F = 600A, v GE =0V, t j = 150O C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V, I F = 600A,

-di /dt =6700A/μs, v GE =- 15V t j =25 O C

153

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

592

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

76.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V, I F = 600A,

-di /dt =6700A/μs, v GE =- 15V t j =125 O C

275

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

673

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

150

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V, I F = 600A,

-di /dt =6700A/μs, v GE =- 15V t j =150 O C

299

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

690

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

173

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von r 100

t C = 100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

- Ich weiß. Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

- Ich weiß. Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

- Ich weiß. Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulleiterwiderstand, Endpunkt an Chip

1.10

mΩ

r thJC

Junction -Um -Fallstudie (pro IGBT )

Junction -Um -Fallstudie (pro Diode )

0.036

0.073

K/W

r thCH

Fallstudie -Um -Heizkessel (pro IGBT )

Fallstudie -Um -Heizkessel (pro Diode )

Hülle-Heatsink (pro Modul)

0.027

0.055

0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montage Drehmoment , Schraube m 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g