mit einer Leistung von

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler Strom@ tc=25oc

@tc= 100oc

1069

600

a)

Ichcm

pulsiert Sammler Strom- Ich weiß.tp= 1m

1200

a)

pd

maximal Leistung Ablösung@tj=175oc

4166

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

600

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1200

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Höchsttemperatur der KreuzungVerhalten

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40zu +150

oc

tstg

Lagertemperaturbereich

-40zu +125

oc

vIso

Isolation Spannung- Ich weiß.RMS, f=50Hz, t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vc(gesetzt)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 600A,vGE=15V, tj=25oc

1.85

2.20

v

Ichc= 600A,vGE=15V, tj=125oc

2.25

Ichc= 600A,vGE=15V, tj=150oc

2.35

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 12.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß.tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

IchCES

Abschnittswert für den Sammler

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,

tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.1

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V, f=1MZ- Ich weiß.

vGE=0V

72.3

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.75

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

5.66

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ichc= 600A,- Ich weiß.RG= 1.0Ω,vGE=±15V,tj=25oc

160

NS

tR

Aufstiegszeit

67

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

527

NS

tf

Herbstzeit

138

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

154

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

132

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ichc= 600A,- Ich weiß.RG= 1.0Ω,vGE=±15V,tj= 125oc

168

NS

tR

Aufstiegszeit

80

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

585

NS

tf

Herbstzeit

168

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

236

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

189

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ichc= 600A,- Ich weiß.RG= 1.0Ω,vGE=±15V,tj= 150oc

192

NS

tR

Aufstiegszeit

80

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

624

NS

tf

Herbstzeit

198

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

259

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

195

m

IchSc

SC-Daten

tp≤10μs,vGE=15V,

tj=150oc- Ich weiß.vCc= 1000V,vCEM≤1700V

2400

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 600A,vGE=0V,tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf= 600A,vGE=0V,tj= 125oc

1.90

Ichf= 600A,vGE=0V,tj= 150oc

1.95

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,Ichf= 600A,

- Ich weiß.Die- Ich weiß.dt=6700A/μs,vGE=- 15 Vtj=25oc

153

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

592

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

76.5

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,Ichf= 600A,

- Ich weiß.Die- Ich weiß.dt=6700A/μs,vGE=- 15 Vtj=125oc

275

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

673

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

150

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,Ichf= 600A,

- Ich weiß.Die- Ich weiß.dt=6700A/μs,vGE=- 15 Vtj=150oc

299

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

690

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

173

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von R100

tc= 100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistung

Ablösung

20.0

m

b25/50

- Ich weiß.Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

- Ich weiß.Wert

R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

- Ich weiß.Wert

R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE’

Modulleiterwiderstand, Endpunktan Chip

1.10

mΩ

RthJC

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(pro - Ich weiß.)

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(pro Diode)

0.036

0.073

K/W

RthCH

Fall- Ich weiß.zu- Ich weiß.Heizkessel(pro - Ich weiß.)

Fall- Ich weiß.zu- Ich weiß.Heizkessel(pro Diode)

Hülle-Heatsink (pro Modul)

0.027

0.055

0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraubem6Montage Drehmoment- Ich weiß. Schraube m5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

350

G