GD600HFX120C6SA,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1108

600

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

4054

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 O C

1.90

I C = 600 A, V GE =15V, t j =150 O C

1.95

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

62.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.74

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

4.62

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R g =1.2Ω, L s = 34 nH , V GE =±15V,T j =25 O C

266

NS

t R

Aufstiegszeit

82

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

400

NS

t F

Herbstzeit

192

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

65.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R g =1.2Ω, L s = 34 nH , V GE =±15V,T j =125 O C

282

NS

t R

Aufstiegszeit

94

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

448

NS

t F

Herbstzeit

290

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

96.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

67.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R g =1.2Ω, L s = 34 nH , V GE =±15V,T j =150 O C

286

NS

t R

Aufstiegszeit

94

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

459

NS

t F

Herbstzeit

299

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

107

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

70.3

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 25O C

2.05

I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 50O C

2.10

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5500A/μs, L s =34nH, V GE =-15V,T j =25 O C

23.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

260

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.7

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4700A/μs, L s =34nH, V GE =-15V,T j =125 O C

65.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

293

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.4

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4600A/μs, L s =34nH, V GE =-15V,T j =150 O C

76.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

306

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.6

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.037 0.065

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028 0.050 0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g