GD600HFX120C2SAD_B20, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 600A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit HPS DBC Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters Übergangsspannung des Tor-Emittors	±20 ±30	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	1096 600	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	1200	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C	3947	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1200	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom ent	600	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	1200	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t vjmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t vjop	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 600 A, V GE =15V, t Vj =25 O C		1.70	2.15	V
		I C = 600 A, V GE =15V, t Vj =125 O C		2.05
		I C = 600 A, V GE =15V, t Vj =150 O C		2.15
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =24.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			1.25		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		64.7		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		1.88		NF
Q g	Gate-Ladung	V GE =-15…+15V		5.38		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 600A, R g = 1,5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T Vj =25 O C		314		NS
t R	Aufstiegszeit			105		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			527		NS
t F	Herbstzeit			151		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			63.7		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			53.3		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 600A, R g = 1,5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T Vj =125 O C		350		NS
t R	Aufstiegszeit			117		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			591		NS
t F	Herbstzeit			315		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			96.5		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			72.2		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 600A, R g = 1,5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T Vj =150 O C		359		NS
t R	Aufstiegszeit			120		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			604		NS
t F	Herbstzeit			328		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			105		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			75.6		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		2400		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 600 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.65	2.10	V
		I F = 600 A, V GE =0V,T Vj =125 O C		1.65
		I F = 600 A, V GE =0V,T Vj =150 O C		1.60
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F = 600A, -di/dt=5130A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T Vj =25 O C		38.6		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			313		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			10.8		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F = 600A, -di/dt=4440A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T Vj =125 O C		76.1		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			368		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			22.5		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F = 600A, -di/dt=4240A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T Vj =150 O C		88.9		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			387		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			26.2		mJ

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		20		nH
R CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.42		mΩ
R thJC	Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.038 0.068	K/W
R thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch		0.031 0.056 0.010		K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Gewicht von Modul		320		g