1200 V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25°C

@ Tc=100°C

660

450

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

900

a)

Ichf

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstromrrent

450

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

900

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175°C

2083

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3,0 bis 6.0

3,0 bis 6.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

910

G

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj=25°C

360

NS

tR

Aufstiegszeit

140

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

tf

Herbstzeit

146

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

11.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj=125°C

374

NS

tR

Aufstiegszeit

147

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

623

NS

tf

Herbstzeit

178

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

17.9

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

64.5

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=30V, f=1MHz,

vGE=0V

39.0

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.26

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤10μs,vGE=15V,

tj=125°C,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

1800

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.67

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 450 A

tj=25°C

1.65

2.25

v

tj=125°C

1.65

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf= 450 A,

vR=600V,

RG= 1,5Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

41.6

μC

tj=125°C

77.5

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

241

a)

tj=125°C

325

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

23.2

m

tj=125°C

43.1

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R100

R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistungsausfall

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3375

k

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

0.072

K/W

RθJC

Junction-to-Case (pro Diode)

0.110

K/W

Rθcss

Die Verwendung von Fett aus der Verpackung ist nicht zulässig.(Veröffentlicht vom

0.005

K/W