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1200 V

1200 V

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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

IGBT-Modul, 1200 V 450 A

Brand:
Stärken
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
  • Einführung
Einführung

Merkmale

  • niedrig vCE(sat)Schützengraben IGBT-TechnoloGY
  • niedrig Wechselverluste
  • 10 μs Kurzschlussfähigkeit
  • Quadratische RBSOA
  • vCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Niedrige Induktivität Fall
  • Schnelle & weiche Rückwärtsrekovery antiparallele FWD
  • Isoliertes Kupfer baSeplate mit DBC-Technologie

typisch Anwendungen

  • Inverter für Motoren Fahren
  • AC und DC Züge Fahren Verstärker
  • ununterbrochene Stromversorgung

IGBT-Wechselrichtertc=25°C es sei denn, es ist anders angegeben

Maximale Nennwerte

 

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vCES

Sammler-Emitter Spannung@ Tj=25°C

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

450

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

900

a)

ptot

Gesamtleistungsschwächung @ Tj=175°C

2155

w

tSc

Kurzschlussfestigkeitszeit    @ Tj=150°C

10

μs

Ausschaltmerkmale

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(BR)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

 

 

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C

 

 

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C

 

 

400

- Nein.

Einschaltmerkmale

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vEG (Jahr)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc= 18,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

 

 

vCE(sat)

 

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25°C

 

1.70

2.15

 

 

v

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=125°C

 

1.90

 

Schaltcharakteristiken

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

 

vCc=600V,Ic=450A, RG=1,6Ω,VGE=±15 V, tj=25°C

 

23.0

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

31.0

 

m

etot

Gesamtzahl Schaltverlust

 

54.0

 

m

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

 

vCc=600V,Ic=450A, RG=1,6Ω,VGE=±15 V, tj=125°C

 

36.0

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

48.0

 

m

etot

Gesamtzahl Schaltverlust

 

84.0

 

m

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,RG=1,6Ω,

vGE=±15 V, tj=25°C

 

160

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

90

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

500

 

NS

tf

Herbstzeit

 

130

 

NS

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,RG=1,6Ω,

vGE=±15 V, tj=125°C

 

170

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

100

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

570

 

NS

tf

Herbstzeit

 

160

 

NS

c- Nein.

Eingangskapazität

 

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

 

32.3

 

NF

c- Die

Ausgangskapazität

 

1.69

 

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

 

1.46

 

NF

 

IchSc

 

SC-Daten

tsc10μs,VGE 15 V, tj=125°C- Ich weiß.

vCc=900V, vCEM 1200 V

 

 

1800

 

 

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

 

 

1.7

 

Oh

QG

Gate-Ladung

vGE=-15…+15V

 

4.3

 

μC

 

 

Diodenumrichtertc=25°C außer anderenWeise bemerkt

Maximale Nennwerte

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vRRM

Sammler-Emitter Spannung@ Tj=25°C

1200

v

Ichf

Gleichstrom-Vorwärtsstrom @ tc=80°C

450

a)

IchFRM

Wiederholte Spitzenvorwärtsstrom    tp=1 ms

900

a)

Ich2t

Ich2t-Wert,VR=0V, tp=10 ms, Tj=125°C

35000

a)2s

 

Charakteristikwerte

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 450 A, VGE=0V

tj=25°C

 

1.65

2.15

v

tj=125°C

 

1.65

 

QR

Wiederhergestellte Ladung

 

Ichf= 450 A,

vR=600V,

mit einer Breite von mehr als 20 mm, vGE=-15V

tj=25°C

 

45.1

 

NS

tj=125°C

 

84.6

 

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

 

316

 

a)

tj=125°C

 

404

 

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

 

21.1

 

m

tj=125°C

 

38.9

 

elektrische Eigenschaften von NTC tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

R25

Nennwiderstand

 

 

5.0

 

ΔR/R

Abweichung von R100

tc=100°C,R100=493.3Ω

-5

 

5

%

p25

Leistungsausfall

 

 

 

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25Ex [B]25/50(1/T2-1/(298.1 5K))]

 

3375

 

k

 

 

 

Modul für die

 

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vIso

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

 

2500

 

v

Ich...c

Streuinduktivität

 

20

 

- Nein.

RCc’+EE

ModulanschlusswiderstandC.E., Terminal an Chip. @ Tc=25°C

 

1.1

 

mOh

RθJC

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(proIGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

 

 

0.058

0.102

K/W

RθCS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

 

0.005

 

K/W

tj

Maximale Junction-Temperatur

 

 

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40

 

125

°C

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube: M5

3.0

 

6.0

n.m.

Montage Schraube:M6

3.0

 

6.0

n.m.

Gewicht

Gewicht von Modul

 

910

 

G

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