IGBT-Modul, 1200 V 450 A
Merkmale
typisch Anwendungen
IGBT-Wechselrichtertc=25°C es sei denn, es ist anders angegeben
Maximale Nennwerte
Symbol |
Beschreibung |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Einheiten |
vCES |
Sammler-Emitter Spannung@ Tj=25°C |
1200 |
v |
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
v |
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25°C @ Tc=80°C |
650 450 |
a) |
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
900 |
a) |
ptot |
Gesamtleistungsschwächung @ Tj=175°C |
2155 |
w |
tSc |
Kurzschlussfestigkeitszeit @ Tj=150°C |
10 |
μs |
Ausschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
v(BR)CES |
Kollektor-Emitter Abbruchspannung |
tj=25°C |
1200 |
|
|
v |
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C |
|
|
400 |
- Nein. |
Einschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
vEG (Jahr) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc= 18,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25°C |
|
1.70 |
2.15 |
v |
Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=125°C |
|
1.90 |
|
Schaltcharakteristiken
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
vCc=600V,Ic=450A, RG=1,6Ω,VGE=±15 V, tj=25°C |
|
23.0 |
|
m |
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
31.0 |
|
m |
|
etot |
Gesamtzahl Schaltverlust |
|
54.0 |
|
m |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
vCc=600V,Ic=450A, RG=1,6Ω,VGE=±15 V, tj=125°C |
|
36.0 |
|
m |
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
48.0 |
|
m |
|
etot |
Gesamtzahl Schaltverlust |
|
84.0 |
|
m |
t(Das ist ein |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 450 A,RG=1,6Ω, vGE=±15 V, tj=25°C |
|
160 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
90 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
500 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
130 |
|
NS |
|
t(Das ist ein |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 450 A,RG=1,6Ω, vGE=±15 V, tj=125°C |
|
170 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
100 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
570 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
160 |
|
NS |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
32.3 |
|
NF |
c- Die |
Ausgangskapazität |
|
1.69 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.46 |
|
NF |
|
IchSc |
SC-Daten |
tsc≤10μs,VGE ≤15 V, tj=125°C- Ich weiß. vCc=900V, vCEM ≤1200 V |
|
1800 |
|
a) |
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.7 |
|
Oh |
QG |
Gate-Ladung |
vGE=-15…+15V |
|
4.3 |
|
μC |
Diodenumrichtertc=25°C außer anderenWeise bemerkt
Maximale Nennwerte
Symbol |
Beschreibung |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Einheiten |
vRRM |
Sammler-Emitter Spannung@ Tj=25°C |
1200 |
v |
Ichf |
Gleichstrom-Vorwärtsstrom @ tc=80°C |
450 |
a) |
IchFRM |
Wiederholte Spitzenvorwärtsstrom tp=1 ms |
900 |
a) |
Ich2t |
Ich2t-Wert,VR=0V, tp=10 ms, Tj=125°C |
35000 |
a)2s |
Charakteristikwerte
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf= 450 A, VGE=0V |
tj=25°C |
|
1.65 |
2.15 |
v |
tj=125°C |
|
1.65 |
|
||||
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
Ichf= 450 A, vR=600V, mit einer Breite von mehr als 20 mm, vGE=-15V |
tj=25°C |
|
45.1 |
|
NS |
tj=125°C |
|
84.6 |
|
||||
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
tj=25°C |
|
316 |
|
a) |
|
tj=125°C |
|
404 |
|
||||
eErklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
tj=25°C |
|
21.1 |
|
m |
|
tj=125°C |
|
38.9 |
|
elektrische Eigenschaften von NTC tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
R25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
ΔR/R |
Abweichung von R100 |
tc=100°C,R100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
p25 |
Leistungsausfall |
|
|
|
20.0 |
m |
b25/50 |
B-Wert |
R2=R25Ex [B]25/50(1/T2-1/(298.1 5K))] |
|
3375 |
|
k |
Modul für die
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
vIso |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min |
|
2500 |
|
v |
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
20 |
|
- Nein. |
RCc’+EE’ |
ModulanschlusswiderstandC.E., Terminal an Chip. @ Tc=25°C |
|
1.1 |
|
mOh |
RθJC |
Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall(proIGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
|
0.058 0.102 |
K/W |
RθCS |
Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied) |
|
0.005 |
|
K/W |
tj |
Maximale Junction-Temperatur |
|
|
150 |
°C |
tstg |
Lagertemperaturbereich |
-40 |
|
125 |
°C |
Montage Drehmoment |
Leistungsanschluss Schraube: M5 |
3.0 |
|
6.0 |
n.m. |
Montage Schraube:M6 |
3.0 |
|
6.0 |
n.m. |
|
Gewicht |
Gewicht von Modul |
|
910 |
|
G |
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