1200 V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vCES

Kollektor-Emitter-Spannung    @ Tj=25°C

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

900

450

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

900

a)

ptot

Gesamtleistungsabgabe    @ Tj= 175°C

3191

w

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc= 18,0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß.tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj= 125°C

2.20

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

4.6

μC

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

vCc=600V,Ic= 450 A,  RG= 2,3Ω,VGE=±15 V, tj=25°C

48

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

28

m

etot

Gesamtzahl Schaltverlust

76

m

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

vCc=600V,Ic= 450 A,  RG= 2,3Ω,VGE=±15 V, tj= 125°C

66

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

45

m

etot

Gesamtzahl Schaltverlust

111

m

d(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,RG= 2,3Ω,VGE= ±15 v,tj=25°C

205

NS

tR

Aufstiegszeit

70

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

465

NS

tf

Herbstzeit

50

NS

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,RG= 2,3Ω,VGE= ±15 v, tj= 125°C

225

NS

tR

Aufstiegszeit

70

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

520

NS

tf

Herbstzeit

75

NS

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

31.8

NF

c- Die

Ausgangskapazität

2.13

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.41

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE ≤15 v, tj= 125°C,VCc=600V,vCEM≤1200 V

2250

a)

RGint

Interne Gate-Widerstandstance

0.7

Oh

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

vRRM

Kollektor-Emitter-Spannung    @ Tj=25°C

1200

v

Ichf

Gleichstrom-Vorwärtsstrom    @ Tc=80°C

450

a)

IchFRM

Wiederholte Spitzenvorwärtsstrom    tp=1ms

900

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 450 A,vGE=0V

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.90

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR= 600 v,

Ichf= 450 A,

RG=2.3Ω,

vGE=- 15 V

tj=25°C

58

μC

tj= 125°C

99

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

372

a)

tj= 125°C

492

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

22

m

tj= 125°C

45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R100

tc= 100°C,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistungsausfall

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25Ex [B]25/50(1/T2- Ich weiß. 1/(298.15K))]

3375

k

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstand,Terminal zu Chip @ Tc=25°C

1.1

mOh

RθJC

Verbindungen zu Fällen (pro IG)BT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.047

0.078

K/W

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.005

K/W

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40

125

°C

Montage

Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M5

3.0

6.0

n.m.

Montage Schraube:M6

3.0

6.0

n.m.

Gewicht

Gewicht von Modul

910

G