1200 V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

680

450

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

900

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ T =175oc

2173

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

450

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

900

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.05

v

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=125oc

1.95

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=11,3- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß.tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.7

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

46.6

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

3.50

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

328

NS

tR

Aufstiegszeit

76

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

539

NS

tf

Herbstzeit

108

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

19.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

46.6

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj=125oc

376

NS

tR

Aufstiegszeit

86

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

595

NS

tf

Herbstzeit

214

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

36.3

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

53.5

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj=150oc

380

NS

tR

Aufstiegszeit

89

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

608

NS

tf

Herbstzeit

232

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

41.7

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.5

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V

1800

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=125oc

1.65

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=150oc

1.65

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 450 A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15 V,tj=25oc

29.4

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

275

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

13.2

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 450 A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15 V,tj=125oc

68.8

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

342

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

31.6

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 450 A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15 V,tj=150oc

79.6

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

354

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

35.8

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.069

0.108

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G