mit einer Leistung von

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

706

450

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

900

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ T =175oc

2542

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

450

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

900

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25oc

1.85

2.20

v

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=125oc

2.25

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=150oc

2.35

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 18,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.67

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

54.2

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.32

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

4.24

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG=3.3Ω,VGE=±15V, tj=25oc

179

NS

tR

Aufstiegszeit

105

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

680

NS

tf

Herbstzeit

375

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

116

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

113

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG=3.3Ω,VGE=±15V, tj= 125oc

208

NS

tR

Aufstiegszeit

120

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

784

NS

tf

Herbstzeit

613

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

152

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

171

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG=3.3Ω,VGE=±15V, tj= 150oc

208

NS

tR

Aufstiegszeit

120

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

800

NS

tf

Herbstzeit

720

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

167

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

179

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V

1800

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 125oc

1.95

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 150oc

1.90

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If= 450 A,

-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

105

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

198

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

69.0

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If= 450 A,

-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc

187

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

578

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

129

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If= 450 A,

-di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc

209

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

585

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

150

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von R100

tc= 100 oC, R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistung

Ablösung

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B-Wert

R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B-Wert

R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

1.10

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.059

0.083

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.031

0.043

0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

350

G