1200 V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 30

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc@ Tc= 95oc

685

450

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

900

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

2206

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

450

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

900

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=125oc

1.95

Ichc= 450 A, VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 18,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß.tj=25oc

5.0

5.6

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.ausStrom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.7

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V

39.0

NF

cAufnahme

Rückübertragungs- Kapazität

1.26

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=15V

2.46

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V,tj=25oc

360

NS

tR

Aufstiegszeit

140

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

550

NS

tf

Herbstzeit

146

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

11.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

48.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

374

NS

tR

Aufstiegszeit

147

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

623

NS

tf

Herbstzeit

178

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

17.9

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

64.5

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 450 A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

381

NS

tR

Aufstiegszeit

152

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

636

NS

tf

Herbstzeit

184

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

19.6

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

69.0

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

1800

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

DiodenvorwärtsSpannung

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=25oc

1.72

2.12

v

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 125oc

1.73

Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 150oc

1.74

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 450 A,

-di/dt=3000A/μs,VGE= 15 V,tj=25oc

40.3

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

258

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

19.0

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 450 A,

-di/dt=3000A/μs,VGE= 15 V, tj= 125oc

71.9

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

338

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

39.1

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 450 A,

-di/dt=3000A/μs,VGE= 15 V, tj= 150oc

79.3

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

352

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

41.8

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

0.35

mΩ

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.068 0.117

K/W

Rθcss

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Gehäuse-Senk (pro Diode)

0.111 0.190

K/W

Rθcss

Gehäuse zu Sink

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5 3.0

5.0 5.0

n.m.

G

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

300

G