Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
VCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1700 |
v |
|
VGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
- Ich weiß. |
Sammlerstrom @ TC=25oC @ TC=95oC |
683 450 |
a) |
|
ICM |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
900 |
a) |
|
PD |
Maximale Leistungsabgabe T =175oC |
2678 |
w |
Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1700 |
v |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
450 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
900 |
a) |
Modul
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
|
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
oc |
|
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
oc |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
VCE (Sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC |
|
2.00 |
2.45 |
v |
|
IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC |
|
2.40 |
|
|||
|
IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC |
|
2.50 |
|
|||
|
VGE(th) |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung |
IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC |
5.4 |
6.1 |
7.4 |
v |
|
ICES |
Abschnittswert für den Sammler Strom |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Tj=25oC |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
|
IGES |
Gate-Emitter Leckstrom |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
0.3 |
|
Oh |
|
Cies |
Eingangskapazität |
VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
|
30.0 |
|
NF |
|
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.08 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
VGE=-15…+15V |
|
2.70 |
|
μC |
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC |
|
504 |
|
NS |
|
Tr |
Aufstiegszeit |
|
183 |
|
NS |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
616 |
|
NS |
|
|
Tf |
Herbstzeit |
|
188 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschaltsteuerung Verlust |
|
126 |
|
m |
|
|
EOFF |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
89 |
|
m |
|
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC |
|
506 |
|
NS |
|
Tr |
Aufstiegszeit |
|
194 |
|
NS |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
704 |
|
NS |
|
|
Tf |
Herbstzeit |
|
352 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschaltsteuerung Verlust |
|
162 |
|
m |
|
|
EOFF |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
124 |
|
m |
|
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC |
|
510 |
|
NS |
|
Tr |
Aufstiegszeit |
|
198 |
|
NS |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
727 |
|
NS |
|
|
Tf |
Herbstzeit |
|
429 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschaltsteuerung Verlust |
|
174 |
|
m |
|
|
EOFF |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
132 |
|
m |
|
|
Schlechte |
SC-Daten |
Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
1440 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.87 |
2.32 |
v |
|
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 125oc |
|
2.00 |
|
|||
|
Ichf= 450 A, VGE=0V,Tj= 150oc |
|
2.05 |
|
|||
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If= 450 A, -di/dt=3000A/μs,VGE=-15V tj=25oc |
|
107 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
519 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
75 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If= 450 A, -di/dt=3000A/μs,VGE=-15V tj= 125oc |
|
159 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
597 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
113 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If= 450 A, -di/dt=3000A/μs,VGE=-15V tj= 150oc |
|
170 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
611 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
119 |
|
m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
|
20 |
- Nein. |
|
RCC’+EE’ |
Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
|
RthJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
|
0.056 0.112 |
K/W |
|
RthCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
|
0.105 0.210 0.035 |
|
K/W |
|
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m. |
|
G |
Gewicht von Modul |
|
300 |
|
G |
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