Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
T1,T2 IGBT
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 30 |
v |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
655 400 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp= 1 ms |
800 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc |
2205 |
w |
D1,D2 Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1200 |
v |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
300 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
600 |
a) |
T3,T4 IGBT
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
650 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc=70oc |
515 400 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp= 1 ms |
800 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc |
1304 |
w |
D3,D4 Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
650 |
v |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
400 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
800 |
a) |
Modul
|
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
|
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
oc |
|
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
oc |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
2500 |
v |
T1,T2- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.70 |
2.15 |
v |
|
Ichc=400A,VGE=15V, tj=125oc |
|
1.95 |
|
|||
|
Ichc=400A,VGE=15V, tj=150oc |
|
2.00 |
|
|||
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc |
5.0 |
5.7 |
6.5 |
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
0.6 |
|
Oh |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=30V, f=1MHz, vGE=0V |
|
40.5 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.14 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
vGE=15V |
|
2.22 |
|
μC |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
|
408 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
119 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
573 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
135 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
10.5 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
36.2 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
|
409 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
120 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
632 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
188 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
13.2 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
53.6 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=2.0Ω, vGE=±15V, tj= 150oc |
|
410 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
123 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
638 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
198 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
14.4 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
56.1 |
|
m |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V |
|
1600 |
|
a) |
D1,D2Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.65 |
2.10 |
v |
|
Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.65 |
|
|||
|
Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.65 |
|
|||
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=600V,If=300A, -di/dt=5200A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc |
|
34.0 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
280 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
19.5 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=600V,If=300A, -di/dt=5200A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc |
|
55.6 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
350 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
29.8 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=600V,If=300A, -di/dt=5200A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc |
|
63.6 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
368 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
34.0 |
|
m |
T3,T4- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.45 |
1.90 |
v |
|
Ichc=400A,VGE=15V, tj=125oc |
|
1.60 |
|
|||
|
Ichc=400A,VGE=15V, tj=150oc |
|
1.70 |
|
|||
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc=6.4- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc |
5.1 |
5.8 |
6.4 |
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.0 |
|
Oh |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
12.7 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.73 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
vGE=- 15…+15V |
|
4.30 |
|
μC |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=300V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω, vGE=±15V,tj=25oc |
|
102 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
79 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
458 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
49 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
2.88 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
12.9 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=300V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
|
111 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
80 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
505 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
70 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
4.20 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
16.0 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=300V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω, vGE=±15V, tj= 150oc |
|
120 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
80 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
510 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
80 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
4.50 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
17.0 |
|
m |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤6μs,vGE=15V, tj=150oC,VCc=360V, vCEM≤600V |
|
2000 |
|
a) |
D5,D6Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.55 |
2.00 |
v |
|
Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc |
|
1.50 |
|
|||
|
Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc |
|
1.45 |
|
|||
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=300V,If= 400A, -di/dt=5500A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc |
|
18.2 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
215 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
3.58 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=300V,If= 400A, -di/dt=5500A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc |
|
29.8 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
280 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
7.26 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=300V,If= 400A, -di/dt=5500A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc |
|
34.2 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
300 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
8.30 |
|
m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
RthJC |
Junction-to-Case (per T1,T2 IGBT) Junction-to-Case (per D1,D2 Diode) Junction-to-Case (per T3,T4 IGBT) Junction-to-Case (per D3,D4 Diode) |
|
|
0.068 0.138 0.115 0.195 |
K/W |
|
RthCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T1,T2 IGBT) Case-to-Heatsink (per D1,D2DIODE) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T3,T4 IGBT) Case-to-Heatsink (per D3,D4DIODE) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
|
0.136 0.276 0.230 0.391 0.028 |
|
K/W |
|
m |
Montagedrehmoment, Schraube m6 Anschlussdrehmoment, Schraube M5 |
3.0 2.5 |
|
6.0 5.0 |
n.m. |
Unser professionelles Verkaufsteam wartet auf Ihre Beratung.
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