IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

648

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximale Energieverteilung t =175 O C

2380

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

v

I C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

I C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.88

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

48.2

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.17

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15V...+15V

3.77

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g =0.82Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

204

NS

t r

Aufstiegszeit

38

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

425

NS

t F

Herbstzeit

113

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

97.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

84.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g =0.82Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

208

NS

t r

Aufstiegszeit

50

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

528

NS

t F

Herbstzeit

184

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

141

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

132

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C = 400A, r g =0.82Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

216

NS

t r

Aufstiegszeit

50

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

544

NS

t F

Herbstzeit

204

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

161

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

137

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 100V, v CEM ≤1700V

1600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =400A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T j =150 O C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

116

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

666

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

63.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

187

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

662

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

114

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C

209

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

640

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

132

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.18

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.063

0.105

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Terminalverbindung Drehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g