1200 V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

- Ich weiß.

Sammlerstrom @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

a)

ICM

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

800

a)

PD

Maximale Leistungsauslösung @ T = 150oC

2659

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Wenn

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

a)

wenn

Diode Maximale Vorwärtsstrom  tp=1ms

800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

Tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

oC

- Ich bin ein Idiot.

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

oC

Tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

oC

VISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc

2.90

3.35

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125oc

3.60

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

4.5

5.5

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.6

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

26.0

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.70

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

4.2

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,2Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

76

NS

tR

Aufstiegszeit

57

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

529

NS

tf

Herbstzeit

73

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

5.2

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

23.2

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,RG= 2,2Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

81

NS

tR

Aufstiegszeit

62

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

567

NS

tf

Herbstzeit

81

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

9.9

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

31.7

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=125oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

2800

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.96

2.31

v

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.98

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

24.9

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

317

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

16.0

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc

35.5

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

391

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

21.4

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip

0.18

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.047

0.100

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M)(siehe auch

0.015

0.031

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G