mit einer Leistung von

Symbol

Beschreibung

GD400SGT170C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

700

a)

400

Ichcm(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

800

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

800

a)

pd

Maximalleistung Ablösung @ Tj= 175°C

3000

w

tSc

Kurzschluss Widerstandszeit @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

Ich2t-Wert,Diode

vR=0V,t=10ms,Tj=125°C

25500

a)2s

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Montage-Torque

Schraube für die Antriebsspitze:M4

Schraube für die Antriebsspitze:M6

1.1 bis 2.0

2,5 bis 5.0

n.m.

Montage Schraube:M6

3,0 bis 5.0

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

vGE=0V, Ichc= 14mA,tj=25°C

1700

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

3.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc= 16mA,Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj= 125°C

2.40

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,

278

NS

tR

Aufstiegszeit

RG=3.6Ω,VGE= ±15 v,

81

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

tj=25°C

802

NS

tf

Herbstzeit

vCc=900V,Ic=400A,   RG=3.6Ω,VGE= ±15 v,tj=25°C

119

NS

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

104

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

86

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=400A,   RG=3.6Ω,VGE= ±15 v, tj= 125°C

302

NS

tR

Aufstiegszeit

99

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1002

NS

tf

Herbstzeit

198

NS

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

136

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

124

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

36

NF

c- Die

Ausgangskapazität

1.5

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.2

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,vGE=15V,

tj=125°C,VCc= 1000V,vCEM≤mit einer Leistung von

1600

a)

RGint

Interne Gate-Widerstandstance

1.9

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstandc) Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.18

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.90

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

Ichf= 400A,

vR=900 v,

di/dt=-4250A/μs, vGE=- 15 V

tj=25°C

99

μC

tj= 125°C

172

IchRm

Diode Spitze

Umgekehrte Wiederherstellung Strom

tj=25°C

441

a)

tj= 125°C

478

eErklärungen

Umgekehrte Wiederherstellung Energie

tj=25°C

53

m

tj= 125°C

97

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, per Modul)

0.05

K/W

RθJC

Junction-to-Case (DIODE-Teil, pro Modul)

0.09

K/W

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

G