Merkmale
typisch Anwendungen
Absolute maximale Bewertungentc=25°C sofern nicht anders angegebented
Symbol |
Beschreibung |
GD400SGK120C2S |
Einheiten |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
|
Symbol |
Beschreibung |
GD400SGK120C2S |
Einheiten |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 V |
v |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25°C @ Tc=80°C |
550 |
a) |
|
400 |
||||
IchCM(1) |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
800 |
a) |
|
Ichf |
Diodenkontinuierlicher Vorwärtsstromn |
400 |
a) |
|
Ichfm |
Dioden maximale Vorwärtsströmungn |
800 |
a) |
|
pd |
Maximalleistungtj=150°C |
2500 |
w |
|
tSc |
Kurzschluss Widerstandszeit @ Tj= 125°C |
10 |
μs |
|
tj |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
°C |
|
tstg |
Lagertemperaturbereich |
-40 bis +125 |
°C |
|
Ich2t-Wert, Diode |
vR=0V, t=10ms, Tj=125°C |
27500 |
a)2s |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS, f=50Hz, t=1min |
2500 |
v |
|
Montage Drehmoment |
Leistungsanschluss Schraube:M4 Leistungsanschluss Schraube:M6 |
1.1 bis 2.0 2,5 bis 5.0 |
n.m. |
|
Montage Schraube:M6 |
3,0 bis 6.0 |
n.m. |
Elektrische Eigenschaften von - Ich weiß.tc=25°C es sei denn, es ist anders angegeben
Ausschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
BVCES |
Kollektor-Emitter Abbruchspannung |
tj=25°C |
1200 |
|
|
v |
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C |
|
|
400 |
- Nein. |
Einschaltmerkmale
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
vEG (Jahr) |
Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm Schwellenspannung |
Ichc= 5,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß. tj=25°C |
4.5 |
5.1 |
5.5 |
v |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=400A,VGE= 15V,Tj=25°C |
|
2.2 |
|
v |
Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C |
|
2.5 |
|
Schaltcharakteristiken
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
t(Das ist ein |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A, |
|
258 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
RG= 3,3Ω, VGE =±15 V, |
|
110 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
tj= 25°C |
|
285 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
vCc=600V,Ic= 400A, RG= 3,3Ω, VGE =±15 V, tj= 25°C |
|
70 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
45 |
|
m |
||
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
26 |
|
m |
||
t(Das ist ein |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A, RG= 3,3Ω, VGE =±15 V, tj= 125°C |
|
260 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
120 |
|
NS |
||
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
300 |
|
NS |
||
tf |
Herbstzeit |
|
80 |
|
NS |
||
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
60 |
|
m |
||
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
40 |
|
m |
||
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc =25V, f=1,0MHz, vGE =0V |
|
74.7 |
|
NF |
|
c- Die |
Ausgangskapazität |
|
3.3 |
|
NF |
||
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.64 |
|
NF |
||
IchSc |
SC-Daten |
tsc≤10 μs, VGE=15V, tj=125°C, VCc=900V, vCEM ≤1200 V |
|
2400 |
|
a) |
|
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
|
16 |
|
- Nein. |
|
RCc’+EE’ |
Modul Blei Widerstand, Endstation zu Splitter |
tc=25°C |
|
0.50 |
|
mOh |
elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=400A |
tj=25°C |
|
2.0 |
2.3 |
v |
tj=125°C |
|
2.2 |
2.5 |
||||
QR |
Diode Rückwärts Einziehungsgebühr |
Ichf= 400A, vR=600V, die in Anhang I Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Nummer 1 der Regelung für die Verwendung von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugverbindungsbereich von mehr als 20 cm2 bestimmt ist, vGE=-15V |
tj=25°C |
|
31 |
|
μC |
tj=125°C |
|
66 |
|
||||
IchRm |
Diode Spitze Umgekehrte Wiederherstellung Strom |
tj=25°C |
|
300 |
|
a) |
|
tj=125°C |
|
410 |
|
||||
eErklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
tj=25°C |
|
12 |
|
m |
|
tj=125°C |
|
28 |
|
Thermische Eigenschaften
Symbol |
Parameter |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
RθJC |
Verbindung zum Gehäuse (IGBT-Teil, pro 1/2 Modul) |
|
0.05 |
K/W |
RθJC |
Verbindung zum Gehäuse (DIODE-Teil, pro 1/2 Modul) |
|
0.08 |
K/W |
RθCS |
Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied) |
0.035 |
|
K/W |
Gewicht |
Gewicht von Modul |
340 |
|
G |
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