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1200 V

1200 V

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GD400SGK120C2S

IGBT-Modul, 1200 V 400 A

Brand:
Stärken
Spu:
GD400SGK120C2S
  • Einführung
Einführung

Merkmale

  • Niedrige VCE (sat) ohne Durchstoß durch IGBT-Technologie
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Nicht verschraubbar
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

typisch Anwendungen

  • Aufsteigen
  • Schaltmodus-Netzteile
  • Elektronische Schweißer mit fSW bis 25 kHz

Absolute maximale Bewertungentc=25°C sofern nicht anders angegebented

 

Symbol

Beschreibung

GD400SGK120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

Symbol

Beschreibung

GD400SGK120C2S

Einheiten

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20 V

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

550

a)

400

IchCM(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

800

a)

Ichf

Diodenkontinuierlicher Vorwärtsstromn

400

a)

Ichfm

Dioden maximale Vorwärtsströmungn

800

a)

pd

Maximalleistungtj=150°C

2500

w

tSc

Kurzschluss Widerstandszeit @ Tj= 125°C

10

μs

tj

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

Ich2t-Wert, Diode

vR=0V, t=10ms, Tj=125°C

27500

a)2s

vIso

Isolierungspannung RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M6

1.1 bis 2.0

2,5 bis 5.0

n.m.

Montage Schraube:M6

3,0 bis 6.0

n.m.

Elektrische Eigenschaften von - Ich weiß.tc=25°C es sei denn, es ist anders angegeben

Ausschaltmerkmale

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

BVCES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

 

 

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=VCES,VGE=0V, tj=25°C

 

 

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=VGES,Vc=0V, tj=25°C

 

 

400

- Nein.

Einschaltmerkmale

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vEG (Jahr)

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm

Schwellenspannung

Ichc= 5,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß.

tj=25°C

4.5

5.1

5.5

v

 

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE= 15V,Tj=25°C

 

2.2

 

 

v

Ichc=400A,VGE=15V,

tj=125°C

 

2.5

 

Schaltcharakteristiken

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,

 

258

 

NS

tR

Aufstiegszeit

RG= 3,3Ω, VGE =±15 V,

 

110

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

tj= 25°C

 

285

 

NS

tf

Herbstzeit

 

vCc=600V,Ic= 400A,

RG= 3,3Ω, VGE =±15 V, tj= 25°C

 

70

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

 

45

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

 

26

 

m

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

 

 

 

vCc=600V,Ic= 400A,

RG= 3,3Ω, VGE =±15 V, tj= 125°C

 

260

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

120

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

300

 

NS

tf

Herbstzeit

 

80

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln Verlust

 

60

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

 

40

 

m

c- Nein.

Eingangskapazität

 

vc =25V, f=1,0MHz,

vGE =0V

 

74.7

 

NF

c- Die

Ausgangskapazität

 

3.3

 

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

 

0.64

 

NF

 

IchSc

 

SC-Daten

tsc10 μs, VGE=15V,

tj=125°C, VCc=900V,

vCEM 1200 V

 

 

2400

 

 

a)

Ich...c

Streuinduktivität

 

 

16

 

- Nein.

 

RCc’+EE

Modul Blei

Widerstand, Endstation zu Splitter

 

tc=25°C

 

 

0.50

 

 

mOh

elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A

tj=25°C

 

2.0

2.3

v

tj=125°C

 

2.2

2.5

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

 

 

Ichf= 400A,

vR=600V,

die in Anhang I Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Buchstabe a Nummer 2 Nummer 1 der Regelung für die Verwendung von Kraftfahrzeugen mit einem Fahrzeugverbindungsbereich von mehr als 20 cm2 bestimmt ist, vGE=-15V

tj=25°C

 

31

 

μC

tj=125°C

 

66

 

 

IchRm

Diode Spitze

Umgekehrte Wiederherstellung Strom

tj=25°C

 

300

 

 

a)

tj=125°C

 

410

 

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

 

12

 

m

tj=125°C

 

28

 

Thermische Eigenschaften

 

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (IGBT-Teil, pro 1/2 Modul)

 

0.05

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (DIODE-Teil, pro 1/2 Modul)

 

0.08

K/W

RθCS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.035

 

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

340

 

G

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