GD400HTX120P6H,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F =120 O C

250

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t j =175 O C

970

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung GE

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

250

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

D Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

D klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =250A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.80

V

I C =250A,V GE =15V, t j =125 O C

1.65

I C =250A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

I C =380A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

I C =380A,V GE =15V, t j =150 O C

2.15

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =9.75 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

2.4

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

33.6

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.43

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.82

NF

Q g

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =250A, V GE =-8...+15V

1.98

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

231

NS

t R

Aufstiegszeit

50

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

545

NS

t F

Herbstzeit

172

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

23.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

241

NS

t R

Aufstiegszeit

57

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

619

NS

t F

Herbstzeit

247

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =150 O C

245

NS

t R

Aufstiegszeit

57

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

641

NS

t F

Herbstzeit

269

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

30.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

30.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =250A,V GE =0V,T j =25 O C

1.50

1.90

V

I F =250A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.45

I F =250A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.40

I F =380A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

I F =380A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 250 A,

-di/dt=4860A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =25 O C

9.10

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

160

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.39

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 250 A,

-di/dt=4300A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =125 O C

21.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

192

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.43

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 250 A,

-di/dt=4120A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =150 O C

25.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

203

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.97

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

64

Mbar

P

Maximaler Kühldruck Schönheit

2.5

Stange

R Die

Verbindungshalter zum Kühlflüssigkeitsanschluss (pro (g) Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

0.090 0.126

0.103 0.145

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Gewicht von Modul

750

g