GD400HTX120P6HFL, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 400A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
6 μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferpinfin-Bauplatte mit Si ₃N ₄AMB-Technologie

Typische Anwendungen

Automobilanwendung
Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	400	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F =100 O C	250	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	800	Ein
P D	Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t j =175 O C	862	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholungspegel umgekehrter Spannung GE	1200	V
I FN	Implementierter Sammler Cu rrent	400	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	250	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	800	Ein
I 2t	I 2t-Wert,t P =10ms @ T j =125 O C @ T j =150 O C	17860 15664	Ein 2s

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t - Was ist los?	Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich	-40 bis +150 +150 bis +175	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	3000	V

IGBT Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =250A,V GE =15V, t j =25 O C		1.45	1.80	V
		I C =250A,V GE =15V, t j =125 O C		1.65
		I C =250A,V GE =15V, t j =150 O C		1.70
		I C =380A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70
		I C =380A,V GE =15V, t j =150 O C		2.15
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =9.75 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			2.4		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		33.6		NF
C - Die	Ausgangskapazität			1.43		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.82		NF
Q g	Gate-Ladung	V CE =600V,I C =250A, V GE =-8...+15V		1.98		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V, t j =25 O C		231		NS
t R	Aufstiegszeit			50		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			545		NS
t F	Herbstzeit			172		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			19.6		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			23.2		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V, t j =125 O C		241		NS
t R	Aufstiegszeit			57		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			619		NS
t F	Herbstzeit			247		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			26.6		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			28.7		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s =24 nH ,V GE =-8V/+15V, t j =150 O C		245		NS
t R	Aufstiegszeit			57		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			641		NS
t F	Herbstzeit			269		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			30.1		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			30.9		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤6μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		1200		Ein

Diode Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =250A,V GE =0V,T j =25 O C		1.50	1.90	V
		I F =250A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.45
		I F =250A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.40
		I F =380A,V GE =0V,T j =25 O C		1.65
		I F =380A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.60
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F = 250 A, -di/dt=4860A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =25 O C		9.10		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			160		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			4.39		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F = 250 A, -di/dt=4300A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =125 O C		21.4		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			192		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			8.43		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F = 250 A, -di/dt=4120A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =150 O C		25.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			203		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			9.97		mJ

NTC Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		8		nH
R CC’+EE’	Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip		0.75		mΩ
△ P	△ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C		64		Mbar
P	Maximaler Kühldruck Schönheit			2.5	Stange
R Die	Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel		0.098 0.128	0.116 0.150	K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Gewicht von Modul		750		g