GD400HTX120P4SD,IGBT-Modul,STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 400A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferpinfin-Blechplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	400	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F =25 O C @ T F = 75 O C	400 300	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	800	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C	1500	W

IGBT

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1200	V
I FN	Implementierter Vorwärtskupfer rrent	400	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	300	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	800	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C		1.50	1.95	V
		I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C		1.60
		I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C		1.65
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =16.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.3	5.8	6.3	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			0.5		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		41.4		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		1.16		NF
Q g	Gate-Ladung	V GE =15V		3.11		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =25 nH ,t j =25 O C		223		NS
t R	Aufstiegszeit			32		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			354		NS
t F	Herbstzeit			228		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			6.24		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			20.1		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125 O C		229		NS
t R	Aufstiegszeit			36		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			411		NS
t F	Herbstzeit			344		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			11.0		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			28.6		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150 O C		231		NS
t R	Aufstiegszeit			38		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			421		NS
t F	Herbstzeit			352		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			12.2		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			29.7		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V		1600		Ein

Diode Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C		1.35	1.80	V
		I F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.35
		I F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.35
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =500V,I F =300A, -di/dt=9700A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25 O C		32.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			478		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			22.1		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =500V,I F =300A, -di/dt=8510A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125 O C		45.9		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			522		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			32.7		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =500V,I F =300A, -di/dt=8250A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150 O C		51.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			537		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			37.4		mJ

NTC Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
△ P	Druckabfall Kühlung Cir Schönheit △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ;t F =25 O C ;Kühlung Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol		100		Mbar
P	Maximaler Kühldruck Schönheit			2.5	Stange
L CE	Streuinduktivität		14		nH
R CC’+EE’	Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip		0.80		mΩ
R Die	Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT ) Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode)			0.100 0.125	K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M
g	Gewicht von Modul		1340		g