GD400HTX120P4SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F =25 O C @ T F = 75 O C

400

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

1500

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I FN

Implementierter Vorwärtskupfer rrent

400

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.50

1.95

V

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

1.65

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =16.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.3

5.8

6.3

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

41.4

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.16

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =15V

3.11

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, L.S. =25 nH ,t j =25 O C

74

NS

t R

Aufstiegszeit

31

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

352

NS

t F

Herbstzeit

255

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

4.01

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.9

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125 O C

81

NS

t R

Aufstiegszeit

34

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

411

NS

t F

Herbstzeit

397

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

7.40

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150 O C

82

NS

t R

Aufstiegszeit

36

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

425

NS

t F

Herbstzeit

434

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.90

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

35.2

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

1600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

I F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.70

I F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.70

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=10600A/μs, V GE =-15V Ls=25nH,T j =25 O C

15.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

391

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.40

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9600A/μs, V GE =-15V Ls=25nH,T j =125 O C

24.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

457

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.4

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150 O C

29.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

488

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

23.2

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

△ P

Druckabfall Kühlung Cir Schönheit

△ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ;t F =25 O C ;Kühlung Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol

100

Mbar

P

Maximaler Kühldruck Schönheit

2.5

Stange

L CE

Streuinduktivität

14

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.80

mΩ

R Die

Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT ) Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode)

0.100 0.125

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

1250

g