GD400HFX170C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

648

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

Ein

P D

Maximale Energieverteilung T =175 o C

2380

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =400A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =400A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.88

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

48.2

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.17

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15V...+15V

3.77

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 400A, R G =0.82Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

204

nS

t r

Aufstiegszeit

38

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

425

nS

t f

Herbstzeit

113

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

97.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

84.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 400A, R G =0.82Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

208

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

528

nS

t f

Herbstzeit

184

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

141

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

132

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 400A, R G =0.82Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

216

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

544

nS

t f

Herbstzeit

204

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

161

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

137

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 100V, V CEM ≤1700V

1600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F =400A,V GE =0V,T j =125 o C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T j =150 o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

116

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

666

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

63.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

187

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

662

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

114

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

209

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

640

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

132

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.063

0.105

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g