IGBT-Modul, 1200 V 400 A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Beschreibung |
Die in Absatz 1 genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Einheiten |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
Ichc |
Sammler-Strom @tc=25°C @ Tc=90°C |
585 400 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp= 1m |
800 |
a) |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
400 |
a) |
|
Ichfm |
Diode Maximale Vorwärtsleitungrenttp=1ms |
800 |
a) |
|
pd |
Maximaler LeistungsverlustDie @ Tj=175°C |
2174 |
w |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
°C |
|
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
°C |
|
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
°C |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
|
Montage Drehmoment |
Schraube für die Antriebsspitze:M6 Montageschraube:M6 |
2,5 bis 5.0 3,0 bis 5.0 |
n.m. |
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Gewicht |
Gewicht von Modul |
300 |
G |
elektrische Eigenschaften von - Ich weiß. tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Ausschaltmerkmale
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
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v(Br)CES |
Kollektor-Emitter Abbruchspannung |
tj=25°C |
1200 |
|
|
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C |
|
|
400 |
- Nein. |
Einschaltmerkmale
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc= 15,2 mA,Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C |
5.1 |
5.8 |
6.4 |
v |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C |
|
2.05 |
2.45 |
v |
|
Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C |
|
2.40 |
|
Schaltmerkmale
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj=25°C |
|
362 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
112 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
378 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
115 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
34.8 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
19.0 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj= 125°C |
|
364 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
113 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
405 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
125 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
43.0 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
30.8 |
|
m |
|
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
24.6 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.38 |
|
NF |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15 v, tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V |
|
1600 |
|
a) |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.9 |
|
Oh |
|
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
|
|
20 |
- Nein. |
|
RCC’+EE’ |
Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=400A |
tj=25°C |
|
1.95 |
2.35 |
v |
|
tj=125°C |
|
2.05 |
|
||||
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
Ichf= 400A, vR=600V, RG= 2,4Ω, vGE=-15V |
tj=25°C |
|
20.2 |
|
μC |
|
tj=125°C |
|
43.0 |
|
||||
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
tj=25°C |
|
226 |
|
a) |
|
|
tj=125°C |
|
340 |
|
||||
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
tj=25°C |
|
10.1 |
|
m |
|
|
tj=125°C |
|
27.2 |
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||||
Thermische EigenschaftenIcs
|
Symbol |
Parameter |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
RθJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) |
|
0.069 |
K/W |
|
RθJC |
Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
0.098 |
K/W |
|
Rθcss |
Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen) |
0.035 |
|
K/W |
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