IGBT-Modul, 1200 V 400 A
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Beschreibung |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Einheiten |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
Ichc |
Sammler-Strom @tc=25°C @ Tc= 100°C |
650 400 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp= 1m |
800 |
a) |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
400 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
800 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj= 175°C |
2542 |
w |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
°C |
|
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
°C |
|
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
°C |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
|
Montage Drehmoment |
Schraube für die Antriebsspitze:M6 Montageschraube:M6 |
2,5 bis 5.0 3,0 bis 5.0 |
n.m. |
|
Gewicht |
Gewicht von Modul |
300 |
G |
elektrische Eigenschaften von - Ich weiß. tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
Ausschaltmerkmale
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
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v(Br)CES |
Kollektor-Emitter Abbruchspannung |
tj=25°C |
1200 |
|
|
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C |
|
|
400 |
- Nein. |
Einschaltmerkmale
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C |
|
1.70 |
2.15 |
v |
|
Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C |
|
2.00 |
|
|||
|
Ichc=400A,VGE=15V, tj=150°C |
|
2.10 |
|
Schaltmerkmale
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω, vGE=±15V,tj=25°C |
|
250 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
39 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
500 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
100 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
17.0 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
42.0 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω, vGE=±15V, tj= 125°C |
|
299 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
46 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
605 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
155 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
25.1 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
61.9 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω, vGE=±15V, tj= 150°C |
|
320 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
52 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
625 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
180 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
30.5 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
66.8 |
|
m |
|
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
28.8 |
|
NF |
|
c- Die |
Ausgangskapazität |
|
1.51 |
|
NF |
|
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.31 |
|
NF |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15 v, tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V |
|
1600 |
|
a) |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.9 |
|
Oh |
|
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
|
|
20 |
- Nein. |
|
RCC’+EE’ |
Modul Blei Widerstand, Anschluss zu Chip |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
elektrische Eigenschaften von Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf= 400A, vGE=0V |
tj=25°C |
|
1.65 |
2.15 |
v |
|
tj=125°C |
|
1.65 |
|
||||
|
tj=150°C |
|
1.65 |
|
||||
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
Ichf= 400A, vR=600V, RG= 1,8Ω, vGE=-15V |
tj=25°C |
|
44 |
|
μC |
|
tj=125°C |
|
78 |
|
||||
|
tj=150°C |
|
90 |
|
||||
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
tj=25°C |
|
490 |
|
a) |
|
|
tj=125°C |
|
555 |
|
||||
|
tj=150°C |
|
565 |
|
||||
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
tj=25°C |
|
19.0 |
|
m |
|
|
tj=125°C |
|
35.1 |
|
||||
|
tj=150°C |
|
38.8 |
|
||||
Thermische EigenschaftenIcs
|
Symbol |
Parameter |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
RθJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) |
|
0.059 |
K/W |
|
RθJC |
Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
0.106 |
K/W |
|
Rθcss |
Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen) |
0.035 |
|
K/W |
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