1200 V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

700

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ T =175oc

2542

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125oc

2.00

Ichc=400A,VGE=15V, tj=150oc

2.10

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.9

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

28.8

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

1.20

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω,

vGE=±15V,tj=25oc

250

NS

tR

Aufstiegszeit

39

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

500

NS

tf

Herbstzeit

100

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

17.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

42.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

299

NS

tR

Aufstiegszeit

46

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

605

NS

tf

Herbstzeit

155

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

25.1

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

61.9

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG= 1,8Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

320

NS

tR

Aufstiegszeit

52

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

625

NS

tf

Herbstzeit

180

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

30.5

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

66.8

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=600V, vCEM≤ 1200 V

1600

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.65

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15 V,tj=25oc

44

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

490

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

19.0

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15 V, tj= 125oc

78

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

555

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

35.1

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=600V,If= 400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15 V, tj= 150oc

90

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

565

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

38.8

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R100

tc= 100oC, R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistungsausfall

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3375

k

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.059

0.106

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.109

0.196

0.035

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G