1200 V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=100oc

769

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tvj  = 175oc

2272

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tvjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

tvjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tVj=25oc

1.85

2.30

v

Ichc=400A,VGE=15V, tVj=125oc

2.25

Ichc=400A,VGE=15V, tVj=150oc

2.35

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,00- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß.tVj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tVj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tVj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=100kHz, vGE=0V

43.2

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.18

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

3.36

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A, RG=2Ω,Ich...s=45- Nein.- Ich weiß.

vGE=±15V,tVj=25oc

288

NS

tR

Aufstiegszeit

72

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

314

NS

tf

Herbstzeit

55

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

43.6

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

12.4

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A, RG=2Ω,Ich...s=45- Nein.- Ich weiß.

vGE=±15V,tVj=125oc

291

NS

tR

Aufstiegszeit

76

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

351

NS

tf

Herbstzeit

88

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

57.6

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

17.1

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A, RG=2Ω,Ich...s=45- Nein.- Ich weiß.

vGE=±15V,tVj=150oc

293

NS

tR

Aufstiegszeit

78

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

365

NS

tf

Herbstzeit

92

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

62.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

18.6

m

IchSc

SC-Daten

tp≤10μs,vGE=15V,

tVj=150oC,VCc=800V, vCEM≤ 1200 V

1500

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A,VGE=0V,TVj=25oc

1.85

2.30

v

Ichf=400A,VGE=0V,TVj=125oc

1.90

Ichf=400A,VGE=0V,TVj=150oc

1.95

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=4130A/μs,VGE=- 15 V,Ich...s=45- Nein.- Ich weiß.tVj=25oc

38.8

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

252

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.2

m

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

vR=600V,If= 400A,

- Ich weiß.Die- Ich weiß.dt= 3860A/μs,vGE=- 15 V,Ich...s=45- Nein.- Ich weiß.tVj=125oc

61.9

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

255

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.7

m

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

vR=600V,If= 400A,

- Ich weiß.Die- Ich weiß.dt= 3720A/μs,vGE=- 15 V,Ich...s=45- Nein.- Ich weiß.tVj=150oc

75.9

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

257

a)

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.5

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.066

0.115

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M)(siehe auch

0.031

0.055

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G