1200 V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

620

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ T =175oc

2272

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25oc

1.90

2.35

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj= 125oc

2.40

Ichc=400A,VGE=15V, tj=150oc

2.55

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 10.0mA,Vc=VGE, tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

100

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.9

Oh

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Das ist nicht wahr.RG= 0,38Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

1496

NS

tR

Aufstiegszeit

200

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1304

NS

tf

Herbstzeit

816

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

27.6

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

20.8

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Das ist nicht wahr.RG= 0,38Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

1676

NS

tR

Aufstiegszeit

252

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1532

NS

tf

Herbstzeit

872

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

41.6

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

23.6

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 400A,- Das ist nicht wahr.RG= 0,38Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

1676

NS

tR

Aufstiegszeit

260

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1552

NS

tf

Herbstzeit

888

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

46.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

24.0

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.90

2.35

v

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Ichf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.90

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=6400A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

20.4

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

180

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

6.8

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=6400A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc

52.4

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

264

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

19.5

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If= 400A,

-di/dt=6400A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc

60.8

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

284

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

22.6

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

15

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

0.25

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.066

0.093

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M)(siehe auch

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G