IGBT-Modul, 1200V 400A, Gehäuse:C2
Kurze Einführung
IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 400A.
Funktionen
Typische Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
I C |
Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C |
636 400 |
Ein |
I CM |
Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms |
800 |
Ein |
P D |
Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C |
2083 |
W |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter |
1200 |
V |
I F |
Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent |
400 |
Ein |
I FM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms |
800 |
Ein |
Modul
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
t vjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
O C |
t vjop |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
O C |
t stg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis +125 |
O C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute |
2500 |
V |
IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
V CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
I C =400A,V GE =15V, t Vj =25 O C |
|
1.75 |
2.20 |
V |
I C =400A,V GE =15V, t Vj =125 O C |
|
2.00 |
|
|||
I C =400A,V GE =15V, t Vj =150 O C |
|
2.05 |
|
|||
V GE (th ) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
I C =14.4 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
Sammler Schnitt -aus Aktuell |
V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
I GES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C |
|
|
400 |
NA |
R Gint |
Interner Gate-Widerst and |
|
|
0.5 |
|
Ω |
C ies |
Eingangskapazität |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
37.3 |
|
NF |
C res |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.04 |
|
NF |
|
Q g |
Gate-Ladung |
V GE =-15 ...+15V |
|
2.80 |
|
μC |
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =25 O C |
|
223 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
49 |
|
NS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
334 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
190 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
17.9 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
28.7 |
|
mJ |
|
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =125 O C |
|
230 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
NS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
385 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
300 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
29.4 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
41.2 |
|
mJ |
|
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =150 O C |
|
228 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
57 |
|
NS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
393 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
315 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
32.3 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
42.9 |
|
mJ |
|
I SC |
SC-Daten |
t P ≤10μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V |
|
1600 |
|
Ein |
Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
V F |
Diodenvorwärts Spannung |
I F =400A,V GE =0V,T Vj =2 5O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
I F =400A,V GE =0V,T Vj =125 O C |
|
1.90 |
|
|||
I F =400A,V GE =0V,T Vj =150 O C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =600V,I F = 400A, -di/dt=8030A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =25 O C |
|
33.6 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
374 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
13.6 |
|
mJ |
|
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =600V,I F = 400A, -di/dt=7030A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =125 O C |
|
67.5 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
446 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
28.2 |
|
mJ |
|
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =600V,I F = 400A, -di/dt=6880A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =150 O C |
|
75.5 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
452 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
31.4 |
|
mJ |
Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
L CE |
Streuinduktivität |
|
|
20 |
nH |
R CC’+EE’ |
Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel |
|
|
0.072 0.113 |
K/W |
R thCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch |
|
0.023 0.036 0.010 |
|
K/W |
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
g |
Gewicht von Modul |
|
300 |
|
g |
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