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IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

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GD400CUX120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

IGBT-Modul, 1200V 400A, Gehäuse:C2

Brand:
Stärken
Spu:
GD400CUX120C2S
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 400A.

Funktionen

  • NPT-IGBT-Technologie
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • Niedrige Schaltverluste
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

  • Wechselrichter für Motorantrieb
  • mit einer Leistung von mehr als 50 W
  • Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

636

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

2083

W

Diode

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Modul

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =400A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.00

I C =400A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.05

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =14.4 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

37.3

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.04

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =25 O C

223

NS

t R

Aufstiegszeit

49

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

334

NS

t F

Herbstzeit

190

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =125 O C

230

NS

t R

Aufstiegszeit

54

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

385

NS

t F

Herbstzeit

300

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

29.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

41.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =150 O C

228

NS

t R

Aufstiegszeit

57

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

393

NS

t F

Herbstzeit

315

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

32.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

42.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1600

Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =400A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =400A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=8030A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =25 O C

33.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

374

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.6

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=7030A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =125 O C

67.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

446

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

28.2

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6880A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =150 O C

75.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

452

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

31.4

mJ

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.072 0.113

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.023 0.036 0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g

Gliederung

image(c3756b8d25).png

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