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GD400CUT170C2S

IGBT-Modul,1700 400A

Brand:
Stärken
Spu:
GD400CUT170C2S
  • Einführung
Einführung

Merkmale

  • Niedrige VCE(sat)Graben- Ich weiß.Technologie
  • Niedrige Schaltverluste
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

typische Anwendungen

  • AC-Inverter-Antriebe
  • Schaltmodus-Netzteile

 

- Ich weiß. tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt

Maximale Nennwerte

 

Symbol

Beschreibung

GD400CUT170C2S

Einheiten

vCES

Kollektor-Emitter-Spannung    @ Tj=25°C

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

800

a)

ptot

Gesamtleistungsabgabe    @ Tj= 150°C

2403

w

tSc

Kurzschlussfestigkeitszeit    @ Tj=150°C

10

μs

Ausschaltmerkmale

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1700

 

 

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

 

 

3.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

 

 

400

- Nein.

Einschaltmerkmale

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc= 16mA,Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

 

 

vCE(sat)

 

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C

 

2.00

2.45

 

 

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj= 125°C

 

2.40

 

Schaltmerkmale

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

 

vCc=900V,Ic=400A,   RG=3.6Ω,VGE= ±15 V,tj=25°C

 

278

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

81

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

802

 

NS

tf

Herbstzeit

 

119

 

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

 

104

 

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

 

86

 

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=400A,   RG=3.6Ω,VGE= ±15 V, tj= 125°C

 

302

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

99

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

1002

 

NS

tf

Herbstzeit

 

198

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

vCc=900V,Ic=400A,   RG=3.6Ω,VGE= ±15 V, tj= 125°C

 

136

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

124

 

m

c- Nein.

Eingangskapazität

 

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

 

36

 

Pf

c- Die

Ausgangskapazität

 

1.5

 

Pf

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

 

1.2

 

Pf

RGint

Interne Gate-Widerstandstance

 

 

1.9

 

Oh

 

IchSc

 

SC-Daten

tp 10μs,VGE=15V,- Das ist nicht wahr.tj=125°C,VCc= 1000V,vCEMmit einer Leistung von

 

 

1600

 

 

a)

 

 

Diode tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt

Maximale Nennwerte

 

Symbol

Beschreibung

GD400CUT170C2S

Einheiten

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung    @ Tj=25°C

1700

v

Ichf

Gleichstrom-Vorwärtsstrom    @ Tc=80°C

100

a)

IchFRM

Wiederholte Spitzenvorwärtsstrom    tp=1ms

200

a)

Ich2t

Ich2t-Wert,VR=0V,Tp= 10ms,Tj=125°C

1800

a)2s

Charakteristikwerte

 

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf= 100A,VGE=0V

tj=25°C

 

1.80

2.20

v

tj= 125°C

 

1.90

 

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

 

Ichf= 100A,

vR=900V,

di/dt=-2450A/μs, vGE=- 15 V

tj=25°C

 

29.0

 

μC

tj= 125°C

 

48.5

 

 

IchRm

Diode Spitze

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

 

155

 

 

a)

tj= 125°C

 

165

 

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

 

15.5

 

m

tj= 125°C

 

27.5

 

Modul für die

 

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vIso

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

 

2500

 

v

Ich...c

Streuinduktivität

 

 

20

- Nein.

RCc’+EE 

Modulanschlusswiderstand,Terminal zu Chip @ Tc=25°C

 

0.35

 

mOh

 

 

RθJC

Junction-to-Case

(IGBT-Wechselrichter, pro 1/2 Module)

 

 

0.052

 

 

K/W

Junction-to-Case

(DIODE-Bremschopper pro 1/2 Modul)

 

 

0.280

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

 

0.035

 

K/W

tj

Maximale Junction-Temperatur

 

150

 

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40

 

125

°C

Montage

Drehmoment

Leistungsanschluss Schraube:M6

2.5

 

5.0

n.m.

Montage Schraube:M6

3.0

 

5.0

G

Gewicht von Modul

 

300

 

G

 

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