GD400CLU120C2SD,IGBT-Modul,STARPOWER

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 400A.

Funktionen

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =60 O C	519 400	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	800	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T Vj =150 O C	2450	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1200	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	400	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	800	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t vjmax	Maximale Junction-Temperatur	150	O C
t vjop	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +125	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =400A,V GE =15V, t Vj =25 O C		2.90	3.35	V
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =400A,V GE =15V, t Vj =125 O C		3.60		V
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =16.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	4.5	5.5	6.5	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerst and			0.6		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		26.0		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		1.70		NF
Q g	Gate-Ladung	V GE =-15…+15V		4.2		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 400A, R g = 2,2Ω, L s =30 nH , V GE =±15V,T Vj =25 O C		252		NS
t R	Aufstiegszeit			63		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			427		NS
t F	Herbstzeit			44		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			24.7		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			16.5		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 400A, R g = 2,2Ω, L s =30 nH , V GE =±15V,T Vj =125 O C		258		NS
t R	Aufstiegszeit			65		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			465		NS
t F	Herbstzeit			57		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			35.2		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			22.6		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, t Vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		1600		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =400A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =400A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.90		V
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F = 400A, -di/dt=6540A/μs, L s =30nH, V GE = 15 V, t Vj =25 O C		38.9		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			401		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			13.8		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F = 400A, -di/dt=6300A/μs, L s =30nH, V GE = 15 V, t Vj =125 O C		68.0		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			444		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			26.2		mJ

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität			30	nH
R CC’+EE’	Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip		0.35		mΩ
R thJC	Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)			0.051 0.114	K/W
R thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch		0.019 0.042 0.010		K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Gewicht von Modul		300		g