IGBT-Modul，3600V 1700A
Merkmale
typische Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25°C es sei denn Ansonsten festgestellt
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Symbol |
Beschreibung |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
Einheiten |
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VCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1700 |
v |
|
VGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
- Ich weiß. |
Kollektorstrom@ TC=25℃ Kollektorstrom@ TC=80℃ |
5200 |
a) |
|
3600 |
|||
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ICM(1) |
Pulsierter Kollektorstrom tp= 1ms |
7200 |
a) |
|
Wenn |
Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom |
3600 |
a) |
|
wenn |
Diode maximale Vorwärtsstrom |
7200 |
a) |
|
PD |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj= 175℃ |
19.7 |
kW |
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Tj |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
°C |
|
Tstg |
Lagertemperaturbereich |
-40 bis +125 |
°C |
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VISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
v |
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Montage |
Signalterminal-Schraube:M4 Leistungsanschluss-Schraube:M8 |
1.8 bis 2.1 8.0 bis 10 |
n.m. |
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Drehmoment |
Montageschraube:M6 |
4.25 bis 5.75 |
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elektrische Eigenschaften von - Ich weiß. tc=25°C es sei denn Ansonsten Anmerkung
Ausschaltmerkmale
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Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
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V(BR)CES |
Kollektor-Emitter Abbruchspannung |
Tj=25℃ |
1700 |
|
|
v |
|
ICES |
Sammler-Abschlusstrom |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃ |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
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IGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃ |
|
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400 |
- Nein. |
Einschaltmerkmale
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Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
VGE(th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃ |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
v |
|
VCE (Sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃ |
|
2.00 |
2.45 |
v |
|
IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃ |
|
2.40 |
2.85 |
Schaltmerkmale
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Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
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QG |
Gate-Ladung |
VGE=- 15…+15V |
|
42.0 |
|
μC |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
Tj=25℃ |
|
0.5 |
|
Oh |
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj=25℃ |
|
730 |
|
NS |
|
Tr |
Aufstiegszeit |
|
205 |
|
NS |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
1510 |
|
NS |
|
|
Tf |
Herbstzeit |
|
185 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschalt-Schaltverluste |
|
498 |
|
m |
|
|
EOFF |
Ausschalt-Schaltverluste |
|
1055 |
|
m |
|
|
Die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj= 125℃ |
|
785 |
|
NS |
|
Tr |
Aufstiegszeit |
|
225 |
|
NS |
|
|
Td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
|
1800 |
|
NS |
|
|
Tf |
Herbstzeit |
|
325 |
|
NS |
|
|
EON |
Einschalt-Schaltverluste |
|
746 |
|
m |
|
|
EOFF |
Ausschalt-Schaltverluste |
|
1451 |
|
m |
|
|
Cies |
Eingangskapazität |
VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
|
317 |
|
NF |
|
Coes |
Ausgangskapazität |
|
13.2 |
|
NF |
|
|
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
10.5 |
|
NF |
|
|
Schlechte |
SC-Daten |
tSC≤10μs,VGE=15V, Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
14000 |
|
a) |
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LCE |
Streuinduktivität |
|
|
10 |
|
- Nein. |
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RCC’+EE ’ |
Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
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|
0.12 |
|
mΩ |
Elektrische Eigenschaften der Diode TC=25℃ es sei denn, es ist anders angegeben
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Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
|
VF |
Diodenvorwärts Spannung |
IF=3600A |
Tj=25℃ |
|
1.80 |
2.20 |
v |
|
Tj= 125℃ |
|
1.90 |
2.30 |
||||
|
qr |
Wiederhergestellte Ladung |
IF=3600A, VR=900V, RGon=0.4Ω, VGE=- 15V |
Tj=25℃ |
|
836 |
|
μC |
|
Tj= 125℃ |
|
1451 |
|
||||
|
IRM |
Rückwärts-Rückgewinnungsstrom |
Tj=25℃ |
|
2800 |
|
a) |
|
|
Tj= 125℃ |
|
3300 |
|
||||
|
Erek |
Rückwärtsrekuperationsenergie |
Tj=25℃ |
|
590 |
|
m |
|
|
Tj= 125℃ |
|
1051 |
|
||||
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