IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die GD3600SGT120C4S

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

4800

Ein

3600

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

7200

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

3600

Ein

I FM

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

7200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =17 5℃

16.7

kW

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

N.M

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =145 mA ,v CE = v GE ,t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =3600A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

v

I C =3600A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

35.0

μC

r Gint

Interner Gate-Widerstand

t j =25 ℃

0.5

Ω

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =3600A, r Gon =0.8Ω,

r Goff =0.2Ω,

v GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

NS

t r

Aufstiegszeit

235

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

825

NS

t F

Herbstzeit

145

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

/

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

/

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =3600A, r Gon =0.8Ω,

r Goff =0.2Ω,

v GE = ± 15V,T j =125 ℃

665

NS

t r

Aufstiegszeit

215

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

970

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltverlust

736

mJ

e aus

Ausschalt-Schaltverluste

569

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V

258

NF

C - Die

Ausgangskapazität

13.5

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

11.7

NF

I SC

SC-Daten

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,V CC =900V, v CEM ≤ 1200V

14000

Ein

L CE

Streuinduktivität

10

nH

r CC ’+ EE ’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.12

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =3600A

t j =25 ℃

1.65

2.15

v

t j =125 ℃

1.65

2.15

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F =3600A,

v r =600V,

r Gon =0.8Ω,

v GE =- 15V

t j =25 ℃

360

μC

t j =125 ℃

670

I RM

Rückwärtswiederherstellung Aktuell

t j =25 ℃

2500

Ein

t j =125 ℃

3200

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

97

mJ

t j =125 ℃

180

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Junction-to-Case (pro IGB T)

9.0

K/kW

r θ JC

Junction-to-Case (pro Dio de)

15.6

K/kW

r θ CS

Gehäuse zu Sink

(Leitfähiges Fett aufgetragen, pro M (siehe auch

4

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

2250

g