1200 V

Symbol

Beschreibung

Die GD3600SGT120C4S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

4800

a)

3600

Ichcm(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1 ms

7200

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

3600

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

7200

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @ Tj=175°C

16.7

kW

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

n.m.

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=145- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß.tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=3600A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc=3600A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

35.0

μC

RGint

Interner Gate-Widerstand

tj=25°C

0.5

Oh

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=3600A, RGon=0.8Ω,

RGoff=0.2Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

600

NS

tR

Aufstiegszeit

235

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

825

NS

tf

Herbstzeit

145

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

- Ich weiß.

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

- Ich weiß.

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=3600A, RGon=0.8Ω,

RGoff=0.2Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

665

NS

tR

Aufstiegszeit

215

NS

td ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

970

NS

tf

Herbstzeit

180

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

736

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

569

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,vGE=0V

258

NF

c- Die

Ausgangskapazität

13.5

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

11.7

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj=125°C,VCc=900V, vCEM≤1200 V

14000

a)

Ich...c

Streuinduktivität

10

- Nein.

RCc’+EE ’

ModulleiterwiderstandAnschluss zu Chip

0.12

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=3600A

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj=125°C

1.65

2.15

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf=3600A,

vR=600V,

RGon=0.8Ω,

vGE=- 15 V

tj=25°C

360

μC

tj=125°C

670

IchRm

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

2500

a)

tj=125°C

3200

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

97

m

tj=125°C

180

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

9.0

K/kW

RθJC

Junction-to-Case (pro Diode)

15.6

K/kW

Rθcss

Gehäuse zu Sink

(Leitfähiges Fett aufgetragen, pro M(siehe auch

4

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

2250

G