mit einer Leistung von

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

- Ich weiß.

Sammlerstrom @ TC=25oC

Kollektorstrom @ TC=65oC

4446

3600

a)

ICM

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

7200

a)

PD

Maximale Leistungsauslösung @ Tj=175oC

15.3

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

Wenn

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

3600

a)

wenn

Diode Maximale Vorwärtsstrom  tp=1ms

7200

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

Tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

^oc

- Ich bin ein Idiot.

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

^oc

Tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

^oc

VISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

VCE (Sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE(th)

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

v

ICES

Abschnittswert für den Sammler

Strom

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Tj=25oC

5.0

- Ich weiß.

IGES

Gate-Emitter Leckstrom

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.53

Oh

Cies

Eingangskapazität

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

240

NF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

8.64

NF

QG

Gate-Ladung

VGE=+15…+15V

21.6

μC

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=25oC

660

NS

Tr

Aufstiegszeit

280

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1600

NS

Tf

Herbstzeit

175

NS

EON

Einschaltsteuerung

Verlust

650

m

EOFF

Ausschaltsteuerung

Verlust

1100

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=125oC

740

NS

Tr

Aufstiegszeit

290

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1800

NS

Tf

Herbstzeit

315

NS

EON

Einschaltsteuerung

Verlust

800

m

EOFF

Ausschaltsteuerung

Verlust

1500

m

Die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=150oC

780

NS

Tr

Aufstiegszeit

295

NS

Td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

1850

NS

Tf

Herbstzeit

395

NS

EON

Einschaltsteuerung

Verlust

900

m

EOFF

Ausschaltsteuerung

Verlust

1600

m

Schlechte

SC-Daten

Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

Ka

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

VF

Diodenvorwärts

Spannung

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

v

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

qr

Wiederhergestellte Ladung

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

2600

a)

Erek

Rückwärtsrekuperationsenergie

490

m

qr

Wiederhergestellte Ladung

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

3150

a)

Erek

Rückwärtsrekuperationsenergie

950

m

qr

Wiederhergestellte Ladung

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

3300

a)

Erek

Rückwärtsrekuperationsenergie

1100

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

6.0

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.12

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

9.8

16.3

K/kW

RthCH

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Verfahren.

Gehäuse-Heatsink (pro Diode)

Hülle-Heatsink (pro Modul)

6.5

10.7

4.0

K/kW

m

Anzugsmoment der Anschlussklemmen, Schraube M4 Anzugsmoment der Anschlussklemmen, Schraube M8 Anzugsmoment der Montage, Schraube M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

n.m.

G

Gewicht des Moduls

2300

G