IGBT-Modul,1200V 300A;3-Level in einem Paket
Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
T1,T2 IGBT
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc= 100oc |
483 300 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
600 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ T =175oc |
1612 |
w |
D1,D2 Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1200 |
v |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
300 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
600 |
a) |
T3,T4 IGBT
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
650 |
v |
|
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
|
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc=60oc |
372 300 |
a) |
|
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
600 |
a) |
|
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ T =175oc |
920 |
w |
D3,D4 Diode
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
650 |
v |
|
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
300 |
a) |
|
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
600 |
a) |
Modul
|
Symbol |
Beschreibung |
Werte |
Einheit |
|
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
|
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
oc |
|
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
oc |
|
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
T1,T2- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.70 |
2.15 |
v |
|
Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc |
|
1.95 |
|
|||
|
Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc |
|
2.00 |
|
|||
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc= 7,50- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
2.5 |
|
Oh |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
21.0 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.20 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
vGE=-15…+15V |
|
2.60 |
|
μC |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 1.3Ω, vGE=±15V,tj=25oc |
|
182 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
464 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
72 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
10.6 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
25.8 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 1.3Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
|
193 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
577 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
113 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
16.8 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
38.6 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=600V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 1.3Ω, vGE=±15V, tj= 150oc |
|
203 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
54 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
618 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
124 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
18.5 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
43.3 |
|
m |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V |
|
1200 |
|
a) |
D1,D2Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheiten |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichc=300A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.65 |
2.10 |
v |
|
Ichc=300A,VGE=0V,Tj=125oc |
|
1.65 |
|
|||
|
Ichc=300A,VGE=0V,Tj=150oc |
|
1.65 |
|
|||
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vCc=600V,If=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE= 15 V,tj=25oc |
|
29 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
318 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
18.1 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vCc=600V,If=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE= 15 V, tj= 125oc |
|
55 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
371 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
28.0 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vCc=600V,If=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE= 15 V, tj= 150oc |
|
64 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
390 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
32.8 |
|
m |
T3,T4- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc |
|
1.45 |
1.90 |
v |
|
Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc |
|
1.60 |
|
|||
|
Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc |
|
1.70 |
|
|||
|
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc= 4,8- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc |
5.1 |
5.8 |
6.5 |
v |
|
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
- Ich weiß. |
|
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
|
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.0 |
|
Oh |
|
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
17.1 |
|
NF |
|
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.51 |
|
NF |
|
|
QG |
Gate-Ladung |
vGE=-15 - Ich...+15V |
|
2.88 |
|
μC |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=300V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
|
88 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
40 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
294 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
43 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
1.34 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
8.60 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=300V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj=125oc |
|
96 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
48 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
312 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
60 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
1.86 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
10.8 |
|
m |
|
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=300V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω, vGE=±15V, tj=150oc |
|
104 |
|
NS |
|
tR |
Aufstiegszeit |
|
48 |
|
NS |
|
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
318 |
|
NS |
|
|
tf |
Herbstzeit |
|
60 |
|
NS |
|
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
1.98 |
|
m |
|
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
11.3 |
|
m |
|
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤6μs,vGE=15V, tj=150oC,VCc=360V, vCEM≤ 650 V |
|
1500 |
|
a) |
D3, D4Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.55 |
1.95 |
v |
|
Ichf=300A,VGE=0V,Tj=125oc |
|
1.50 |
|
|||
|
Ichf=300A,VGE=0V,Tj=150oc |
|
1.45 |
|
|||
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=300V,If=300A, -di/dt=7150A/μs,VGE=-15V tj=25oc |
|
14.3 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
209 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
3.74 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=300V,If=300A, -di/dt=7150A/μs,VGE=-15V tj=125oc |
|
26.4 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
259 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
6.82 |
|
m |
|
|
QR |
Wiederhergestellt Gebühr |
vR=300V,If=300A, -di/dt=7150A/μs,VGE=-15V tj=150oc |
|
30.8 |
|
μC |
|
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
275 |
|
a) |
|
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
7.70 |
|
m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
|
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
|
RthJC |
Junction-to-Case (per T1,T2 IGBT) Junction-to-Case (per D1,D2 Diode) Junction-to-Case (per T3,T4 IGBT) Junction-to-Case (per D3,D4 Diode) |
|
|
0.093 0.158 0.163 0.299 |
K/W |
|
RthCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T1,T2 IGBT) Case-to-Heatsink (per D1,D2DIODE) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro T3,T4 IGBT) Case-to-Heatsink (per D3,D4DIODE) Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul) |
|
0.050 0.083 0.087 0.160 0.010 |
|
K/W |
|
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m. |
|
G |
Gewicht von Modul |
|
340 |
|
G |
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