GD300MPX120C6SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

468

300

Ein

I CRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp Begrenzt von t vjop

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

1530

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp Begrenzt von t vjop

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp Begrenzt von t vjop

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.70

2.15

V

I C =300A,V GE =15V, t Vj =125 O C

1.95

I C =300A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.87

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =2,4Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T Vj =25 O C

215

NS

t R

Aufstiegszeit

53

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

334

NS

t F

Herbstzeit

205

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

21.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

20.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =2,4Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T Vj =125 O C

231

NS

t R

Aufstiegszeit

59

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

361

NS

t F

Herbstzeit

296

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

30.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.1

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =2,4Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T Vj =150 O C

240

NS

t R

Aufstiegszeit

62

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

376

NS

t F

Herbstzeit

311

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

32.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

29.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =300A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T Vj =25 O C

36.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

235

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.7

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T Vj =125 O C

61.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

257

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

27.5

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T Vj =150 O C

68.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

262

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =300A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=5683A/μs, Ls=35nH, V GE =-15V,T Vj =25 O C

36.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

290

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.4

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T Vj =125 O C

56.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

301

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.2

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T Vj =150 O C

65.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

306

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.3

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

35

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.45

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT -Wechselrichter ) Gehäuse-Temperatur (pro Diode-Inverter er) Gehäuse-Temperatur (pro Diode-3-Stu fen)

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro IGBT-In verter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-3- Ebene) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g