IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C = 100O C

493

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

1829

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12,0 mA, V CE =V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz, v GE =0V

36.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.88

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r Gon =3.3Ω,

r Goff = 4,7Ω, v GE =±15V,

t j =25 O C

213

NS

t r

Aufstiegszeit

83

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

621

NS

t F

Herbstzeit

350

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

79.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

70.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r Gon =3.3Ω,

r Goff = 4,7Ω, v GE =±15V,

t j = 125O C

240

NS

t r

Aufstiegszeit

92

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

726

NS

t F

Herbstzeit

649

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

104

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

108

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r Gon =3.3Ω, r Goff = 4,7Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

248

NS

t r

Aufstiegszeit

95

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

736

NS

t F

Herbstzeit

720

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

115

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

116

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, v CEM ≤1700V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

82.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

407

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

46.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

138

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

462

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

92.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

154

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

460

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

109

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von r 100

t C = 100 O C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.082 0.129

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.029 0.046 0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g