GD300HFX170C6SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

1829

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1700

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

36.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.88

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff = 4,7Ω, L s =66nH, V GE =±15V, t j =25 O C

265

NS

t R

Aufstiegszeit

94

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

565

NS

t F

Herbstzeit

326

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

77.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff = 4,7Ω, L s =66nH, V GE =±15V, t j =125 O C

302

NS

t R

Aufstiegszeit

104

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

631

NS

t F

Herbstzeit

521

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

108

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

72.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff = 4,7Ω, L s =66nH, V GE =±15V, t j =150 O C

313

NS

t R

Aufstiegszeit

108

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

645

NS

t F

Herbstzeit

545

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

119

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

78.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t j =150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.95

I F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.90

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs, V GE =-15V L s =66 nH ,t j =25 O C

56.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

228

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.4

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2300A/μs,V GE =-15V L s =66 nH ,t j =125 O C

89.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

262

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

60.2

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs, V GE =-15V L s =66 nH ,t j =150 O C

102

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

272

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

69.6

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.082 0.121

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.030 0.045 0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g