IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

493

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximale Energieverteilung t =175 O C

1829

W

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

v

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12,0 mA, V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

36.1

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.88

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

2.83

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g = 2,4Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

204

NS

t r

Aufstiegszeit

48

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

595

NS

t F

Herbstzeit

100

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

69.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

63.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g =2.4Ω

,V GE =±15V, t j = 125O C

224

NS

t r

Aufstiegszeit

55

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

611

NS

t F

Herbstzeit

159

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

96.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

99.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =900V,I C =300A, r g =2.4Ω

,V GE =±15V, t j = 150O C

240

NS

t r

Aufstiegszeit

55

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

624

NS

t F

Herbstzeit

180

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

107

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

105

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, v CEM ≤1700V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

I F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

55

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

297

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

32.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j =125 O C

116

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

357

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

68.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V t j =150 O C

396

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

120

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

81.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.082

0.129

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g