GD300HFX170C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

493

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

Ein

P D

Maximale Energieverteilung T =175 o C

1829

W

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =300A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =300A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 12,0 mA, V CE =V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

36.1

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.88

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

2.83

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R G = 2,4Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

204

nS

t r

Aufstiegszeit

48

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

595

nS

t f

Herbstzeit

100

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

69.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

63.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω

,V GE =±15V, T j = 125o C

224

nS

t r

Aufstiegszeit

55

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

611

nS

t f

Herbstzeit

159

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

96.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

99.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω

,V GE =±15V, T j = 150o C

240

nS

t r

Aufstiegszeit

55

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

624

nS

t f

Herbstzeit

180

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

107

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

105

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F =300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

55

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

297

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

32.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

116

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

357

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

68.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

396

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

120

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

81.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.082

0.129

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g