GD300HFX170C2SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

1829

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1700

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =300A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C =300A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

36.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.88

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R g =2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t Vj =25 O C

355

NS

t R

Aufstiegszeit

71

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

473

NS

t F

Herbstzeit

337

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

89.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

46.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R g =2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t Vj =125 O C

383

NS

t R

Aufstiegszeit

83

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

549

NS

t F

Herbstzeit

530

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

126

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

68.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R g =2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t Vj =150 O C

389

NS

t R

Aufstiegszeit

88

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

575

NS

t F

Herbstzeit

585

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

139

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

73.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F =300A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.95

I F =300A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.90

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE =-15V L.S. =42 nH ,t Vj =25 O C

68

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

202

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.5

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE =-15V L.S. =42 nH ,t Vj =125 O C

114

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

211

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

61.2

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE =-15V L.S. =42 nH ,t Vj =150 O C

136

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

217

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

73.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.082 0.127

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.033 0.051 0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g