mit einer Leistung von

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

493

300

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

600

a)

pd

Maximale Energieverteilung- Das ist nicht wahr.t =175oc

1829

w

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc

1.85

2.20

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc

2.25

Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc

2.35

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 12,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

2.5

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

36.1

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.88

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

2.83

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 2,4Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

204

NS

tR

Aufstiegszeit

48

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

595

NS

tf

Herbstzeit

100

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

69.3

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

63.3

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG=2.4Ω

,VGE=±15V, tj= 125oc

224

NS

tR

Aufstiegszeit

55

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

611

NS

tf

Herbstzeit

159

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

96.8

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

99.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG=2.4Ω

,VGE=±15V, tj= 150oc

240

NS

tR

Aufstiegszeit

55

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

624

NS

tf

Herbstzeit

180

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

107

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

105

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V

1200

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.95

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

55

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

297

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

32.2

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Vtj=125oc

116

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

357

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

68.2

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Vtj=150oc

396

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

120

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

81.6

m

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstandnce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Junction-to-Case (pro Diode)

0.082

0.129

K/W

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

300

G