GD300HFU120C2SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

320

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

1063

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

I C =300A,V GE =15V, t j =175 O C

1.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =8 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.36

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

4.50

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

t j =25 O C

405

NS

t R

Aufstiegszeit

83

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

586

NS

t F

Herbstzeit

129

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

34.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

19.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

t j =125 O C

461

NS

t R

Aufstiegszeit

107

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

676

NS

t F

Herbstzeit

214

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

48.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

26.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1,5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V,

t j =175 O C

518

NS

t R

Aufstiegszeit

124

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

738

NS

t F

Herbstzeit

264

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

58.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

31.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤7μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1150

Ein

t P ≤6μs, V GE =15V,

t j =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1110

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.00

V

I F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

I F =300A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.50

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=3135A/μs, V GE = 15 V, Ls=32nH, T j =25 O C

19.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

140

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.92

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2516A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j =125 O C

33.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

159

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.35

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2204A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j =175 O C

46.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

171

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.7

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

21

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip

1.80

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.141 0.243

K/W

R thCH

Fall -Um -Heizkessel (proIGBT )Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

m

Montageschraube:M6

3.0

6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g