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GD300HFT170C2S

IGBT-Modul, 1700V 300A

Brand:
Stärken
Spu:
GD300HFT170C2S
  • Einführung
Einführung

Merkmale

  • niedrig VcE(sat)Graben - Ich weiß. Technologie
  • niedrig Wechseln verluste
  • 10us Kurz SCHALTUNG Fähigkeit
  • VCE (Sat) mit positiv Temperatur Koeffizient
  • niedrig Induktivität Fall
  • Schnell & softRückwärts Rückgewinnung anti-parallel FWD
  • isoliert Kupfer Ausfallplatte Verwendung dBc Technologie

 

typisch Anwendungen

  • - Das ist nicht wahr. Umrichter Laufwerke Netz 575-750V - Das ist nicht wahr.
  • Öffentlicher Verkehr(auxiliary syst.)

Absolut maximal Bewertungen Te=25℃ es sei denn Ansonsten festgestellt

 

Symbol

Beschreibung

GD300HFT170C2S

Einheiten

VCES

Kollektor-Emitter Spannung

1700

v

VGFs

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm Spannung

± 20

v

- Ich weiß.

Sammler Strom @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

a)

300

ICM(1)

pulsiert Sammler Strom tp=1m

600

a)

- Nein.

Diode Dauerhaft Vorwärts Strom

300

a)

- Ich...

Diode maximal Vorwärts Strom

600

a)

pp

maximal Leistung Ablösung @Tj=175℃

2083

w

TSC

Kurz SCHALTUNG Widerstand leisten. Zeit @Tj=125℃

10

μs

Tjmax

maximal Junction Temperatur

175

°C

Tstg

Aufbewahrung Temperatur Bereich

-40 to+125

°C

I²t-Wert,Diode

VR=0V,t=10ms,Tj=125℃

14500

A²s

VISO

Isolation Spannung RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Montage Drehmoment

Leistung Endstation Schraube:M6

2.5 zu 5.0

n.m.

Montage- Ich weiß.Schraube:M6

3.0 zu 5.0

n.m.

 

elektrische Eigenschaften von - Ich weiß. Te=25℃ es sei denn Ansonsten festgestellt

aus Eigenschaften

 

Symbol

Parameter

Prüfung Bedingungen

Min- Ich weiß.

Typ- Ich weiß.

maximal- Ich weiß.

Einheiten

BVcrs

Kollektor-Emitter

Durchbruch Spannung

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

 

 

v

ICES

Sammler Cut-Off Strom

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Tj=25℃

 

 

3.0

- Ich weiß.

IGrs

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm Leckage Strom

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

 

 

400

- Nein.

auf Eigenschaften

 

Symbol

Parameter

Prüfung Bedingungen

Min- Ich weiß.

- Das ist typisch.

maximal- Ich weiß.

Einheiten

Vcπ(h)

Schnittstellen mit einem Schnittpunkt von mehr als 10 mm Schwellenwert Spannung

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

v

 

VCE (Sat)

 

Sammler zu Emitter Sättigung Spannung

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

 

2.0

 

 

v

- Ich weiß.=300A,VGr=15V. T=125℃

 

2.4

 

Wechseln Eigenschaften

 

Symbol

Parameter

Prüfung Bedingungen

Min- Ich weiß.

- Das ist typisch.

maximal- Ich weiß.

Einheiten

taon)

Einschalten Verzögerung Zeit

Vcc=900V,Ic=300A,Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

 

281

 

NS

t

Aufstieg Zeit

 

82

 

NS

- Das ist(o)

Ausschalten Verzögerung Zeit

 

801

 

NS

Tr

Fall Zeit

 

Vcc=900V,Ic=300A, 

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

 

121

 

NS

EON

Einschalten Wechseln

Verlust

 

70

 

m

Eofr

Ausschalten Wechseln

Verlust

 

65

 

m

ta(on)

Einschalten Verzögerung Zeit

 

 

 

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15VT=125℃

 

303

 

NS

t

Aufstieg Zeit

 

103

 

NS

ta(om)

Ausschalten Verzögerung Zeit

 

1002

 

NS

Tr

Fall Zeit

 

203

 

NS

EON

Einschalten Wechseln

Verlust

 

105

 

m

EOR

Ausschalten Wechseln

Verlust

 

94

 

m

Cies

Einführung Kapazität

 

VCE=25V,f=1MHz,

VGr=0V

 

27.0

 

NF

Coes

Ausgabe Kapazität

 

1.1

 

NF

Cres

Rückwärts Übertragung

Kapazität

 

0.9

 

NF

 

Schlechte

 

Sc Daten

tSC≤10μs,VGE=15V, 

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

 

 

1200

 

 

a)

RGint

Inneres Tor Widerstandc

 

 

2.5

 

Oh

LCr

Streuwiderstand Induktivität

 

 

 

20

- Nein.

RcC'+EE'

Modul Blei Widerstand, Endstation zu Splitter

TC=25℃

 

0.35

 

m2

 

elektrische Eigenschaften von Diode tc=25℃ es sei denn ansonsten Hinweisd

 

Symbol

Parameter

Prüfung Bedingungen

Min- Ich weiß.

- Das ist typisch.

maximal- Ich weiß.

Einheiten

VR

Diode Vorwärts

Spannung

Iq=300A

Tj=25℃

 

1.8

 

v

Ti=125℃

 

1.9

 

Q

Diode Rückwärts

Rückgewinnung Gebühr

 

 

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

 

77

 

μC

Tj=125℃

 

131

 

 

IRM

Diode Höhepunkt

Rückwärts Rückgewinnung Strom

Tj=25℃

 

351

 

 

a)

T=125℃

 

383

 

Eree

Rückwärts Rückgewinnung Energie

Tj=25℃

 

40

 

m

Tj=125℃

 

72

 

Wärme Charakteristicss

 

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

maximal- Ich weiß.

Einheiten

Rac

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall (- Ich weiß. Teil- Ich weiß. pro 1/2 Module)

 

0.072

K/W

Rac

Junction- Ich weiß.zu- Ich weiß.Fall (Diode Teil- Ich weiß. pEr 1/2 Modul)

 

0.13

K/W

Roc

Gehäuse zu Sink (Leitfähig Fett aufgetragen)

0.035

 

K/W

Gewicht

Gewicht von Modul

300

 

G

 

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