GD300HFQ120C2SD,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

452

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

1724

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =300A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C =300A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 7,50 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.87

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

2.33

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T Vj =25 O C

200

NS

t R

Aufstiegszeit

47

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

245

NS

t F

Herbstzeit

65

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

20.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.15

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T Vj =125 O C

206

NS

t R

Aufstiegszeit

49

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

280

NS

t F

Herbstzeit

94

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

29.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T Vj =150 O C

209

NS

t R

Aufstiegszeit

51

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

295

NS

t F

Herbstzeit

105

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

35.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

13.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =300A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q R

Wiederhergestellt ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=5570A/μs, V GE = 15 V, L.S. =45 nH ,t Vj =25 O C

28.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

287

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.81

mJ

Q R

Wiederhergestellt ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 15 V, L.S. =45 nH ,t Vj =125 O C

44.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

295

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.3

mJ

Q R

Wiederhergestellt ladevorgang

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE = 15 V, L.S. =45 nH ,t Vj =150 O C

50.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

300

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.0

mJ