mit einer Leistung von

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

490

300

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ T =175oc

2027

w

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc

2.40

2.85

v

Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc

2.80

Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc

2.90

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 12,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

20.3

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

0.69

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

2.31

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

200

NS

tR

Aufstiegszeit

97

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

410

NS

tf

Herbstzeit

370

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

82.0

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

60.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

250

NS

tR

Aufstiegszeit

99

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

630

NS

tf

Herbstzeit

580

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

115

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

90.0

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

260

NS

tR

Aufstiegszeit

105

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

670

NS

tf

Herbstzeit

640

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

125

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

100

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V

1200

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.95

Ichf=300A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.90

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc

90.0

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

270

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

45.0

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 V tj= 125oc

135

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

315

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

75.5

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=900V,If=300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 V tj= 150oc

160

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

330

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

84.0

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R100

tc= 100oC, R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistungsausfall

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3375

k

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

1.10

mΩ

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.074

0.121

K/W

Rθcss

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

0.029

0.047

K/W

Rθcss

Gehäuse zu Sink

0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube m6

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m.

G

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

350

G