Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1700 |
v |
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc=90oc |
430 300 |
a) |
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
600 |
a) |
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ T =175oc |
1851 |
w |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1700 |
v |
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
300 |
a) |
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
600 |
a) |
Modul
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
oc |
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
oc |
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1 Minute |
4000 |
v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=300A,VGE=15V, tj=25oc |
|
2.40 |
2.85 |
v |
Ichc=300A,VGE=15V, tj=125oc |
|
2.80 |
|
|||
Ichc=300A,VGE=15V, tj=150oc |
|
2.90 |
|
|||
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc= 12,0 mA, Vc=VGE, tj=25oc |
5.4 |
6.2 |
7.4 |
v |
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
1.0 |
- Ich weiß. |
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
RGint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
2.3 |
|
Oh |
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
20.0 |
|
NF |
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.72 |
|
NF |
|
QG |
Gate-Ladung |
vGE=- 15…+15V |
|
1.8 |
|
μC |
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω, vGE=±15V, tj=25oc |
|
464 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
157 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
421 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
290 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
108 |
|
m |
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
55.2 |
|
m |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω, vGE=±15V, tj=125oc |
|
483 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
161 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
465 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
538 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
128 |
|
m |
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
83.7 |
|
m |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=300A,- Ich weiß.RG= 4,7Ω, vGE=±15V, tj=150oc |
|
492 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
165 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
483 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
747 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
141 |
|
m |
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
92.1 |
|
m |
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj= 150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V |
|
960 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=300A,VGE=0V,Tj=25oc |
|
1.80 |
2.25 |
v |
Ichf=300A,VGE=0V,Tj=125oc |
|
1.95 |
|
|||
Ichf=300A,VGE=0V,Tj=150oc |
|
1.90 |
|
|||
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=300A, -di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Vtj=25oc |
|
70 |
|
μC |
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
209 |
|
a) |
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
40.7 |
|
m |
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=300A, -di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Vtj=125oc |
|
108 |
|
μC |
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
238 |
|
a) |
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
65.1 |
|
m |
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vR=900V,If=300A, -di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Vtj=150oc |
|
123 |
|
μC |
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
253 |
|
a) |
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
71.6 |
|
m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
15 |
|
- Nein. |
RCC’+EE’ |
ModulleiterwiderstandTerminal an Chip |
|
0.25 |
|
mΩ |
RthJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) Junction-to-Case (pro Diode) |
|
|
0.081 0.138 |
K/W |
RthCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe)r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M)(siehe auch |
|
0.032 0.054 0.010 |
|
K/W |
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube m6 Montagedrehmoment, Schraube m6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
n.m. |
G |
Gewicht von Modul |
|
300 |
|
G |
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