GD300CUX120C2SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

477

300

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

1578

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

600

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.70

2.15

V

I C =300A,V GE =15V, t Vj =125 O C

1.95

I C =300A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.87

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T Vj =25 O C

181

NS

t R

Aufstiegszeit

39

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

305

NS

t F

Herbstzeit

199

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

22.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

21.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T Vj =125 O C

191

NS

t R

Aufstiegszeit

45

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

357

NS

t F

Herbstzeit

313

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

39.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

30.7

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =300A, R g =1,3Ω, Ls=43nH, V GE =±15V,T Vj =150 O C

193

NS

t R

Aufstiegszeit

47

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

368

NS

t F

Herbstzeit

336

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

44.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.3

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =300A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =300A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T Vj =25 O C

59.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

397

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

24.9

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T Vj =125 O C

91.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

383

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.5

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T Vj =150 O C

99.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

39.1

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.095 0.163

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.022 0.037 0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g