GD260HTA120P7H_T,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

260

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F =125 O C

150

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

520

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t Vj =175 O C

526

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung GE

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

260

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

520

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =150A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.15

1.50

V

I C =150A,V GE =15V, t Vj =125 O C

1.20

I C =150A,V GE =15V, t Vj =150 O C

1.20

I C =260A, V GE =15V, t Vj =25 O C

1.35

I C =260A, V GE =15V, t Vj =150 O C

1.55

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =10,4 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

6.4

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

2.50

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

54.1

NF

C - Die

Ausgangskapazität

1.04

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.35

NF

Q g

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =260A, V GE =-8...+15V

3.54

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A,

R g =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L s =35 nH ,t Vj =25 O C

345

NS

t R

Aufstiegszeit

61

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

933

NS

t F

Herbstzeit

105

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

11.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R g =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L s =35 nH ,t Vj =125 O C

376

NS

t R

Aufstiegszeit

69

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1052

NS

t F

Herbstzeit

164

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

14.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R g =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L s =35 nH ,t Vj =150 O C

382

NS

t R

Aufstiegszeit

73

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1085

NS

t F

Herbstzeit

185

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

27.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

15.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =150A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.45

1.80

V

I F =150A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.40

I F =150A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.35

I F =260A, V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.65

I F =260A, V GE =0V,T Vj =150 O C

1.65

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2690A/μs, V GE = 8V L s =35 nH ,t Vj =25 O C

14.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

123

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.79

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2210A/μs, V GE = 8V L s =35 nH ,t Vj =125 O C

24.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

137

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.30

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2130A/μs, V GE = 8V L s =35 nH ,t Vj =150 O C

27.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

142

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.08

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

△ P

Druckabfall Kühlung Cir Schönheit

Δ V/Δt=10.0dm3/min;TF=2 5 O C;Kühl Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol

50

Mbar

P

Maximaler Kühldruck Schönheit

2.0

Stange

R Die

Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

0.165 0.265

0.190 0.305

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

685

g