1200 V

Symbol

Beschreibung

Die GD2400SGT120C3S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

3400

a)

2400

Ichcm(1)

Pulsierter Kollektorstrom    tp= 1 ms

4800

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

2400

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

4800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe    @ Tj= 150°C

9.6

kW

tj

Maximale Junction-Temperatur

150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage

Signalanschluss Schraube:M4

Leistungsanschluss Schraube:M8

1.8 bis 2.1

8.0 bis 10

n.m.

Drehmoment

Montage Schraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=96- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=2400A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc=2400A,VGE=15V, tj= 125°C

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

23.0

μC

RGint

Interner Gate-Widerstand

tj=25°C

0.8

Oh

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=2400A, RGon= 1.2Ω,

RGoff=0.3Ω

vGE=±15V,Tj=25°C

600

NS

tR

Aufstiegszeit

215

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

815

NS

tf

Herbstzeit

155

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

- Ich weiß.

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

- Ich weiß.

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=2400A, RGon= 1.2Ω,

RGoff=0.3Ω

vGE=±15V,Tj= 125°C

665

NS

tR

Aufstiegszeit

235

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

970

NS

tf

Herbstzeit

185

NS

eauf

Einschalten Schaltverlust

491

m

eaus

Ausschalt-Schaltverluste

379

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

172

NF

c- Die

Ausgangskapazität

9.01

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

7.81

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj=125°C,VCc=900V, vCEM≤1200 V

9600

a)

Ich...c

Streuinduktivität

12

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstandc) Anschluss zu Chip

0.19

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=2400A

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj= 125°C

1.65

2.15

QR

Wiederhergestellte Ladung

Ichf=2400A,

vR=600V,

RGon= 1.2Ω,

vGE=- 15 V

tj=25°C

240

μC

tj= 125°C

450

IchRm

Rückwärtswiederherstellung Strom

tj=25°C

1600

a)

tj= 125°C

2200

eErklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

tj=25°C

65

m

tj= 125°C

120

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

13

K/kW

RθJC

Junction-to-Case (pro Diode)

23

K/kW

Rθcss

Gehäuse zu Sink

(Leitfähige Paste aufgetragen, proModul)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht von Modul

1500

G